[实用新型]一种新型LED封装结构有效
申请号: | 202320161036.2 | 申请日: | 2023-01-17 |
公开(公告)号: | CN219144209U | 公开(公告)日: | 2023-06-06 |
发明(设计)人: | 谢育仁;牛道远 | 申请(专利权)人: | 港科技术(佛山)有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/52;H01L33/62 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 赵永丽 |
地址: | 528200 广东省佛山市南海区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 led 封装 结构 | ||
本实用新型公开了一种新型LED封装结构,包括:基板、金导电层和芯片等;金导电层设置在基板上,形成若干个镂空区域。金导电层与芯片的正、负极经由焊线电连接;芯片布设于镂空区域内并与基板固定连接。通过使用金导电层,可避免传统银导电层因氧化或硫化产生变色对光的吸收,使LED的光效得以提高。此外,通过设置镂空区域,减少封装层与金导电层的粘接面积,使得封装层可以更多地与基板连接,提高封装层的粘接力,减少因封装层与金导电层的粘接性不高导致封装层脱离基板从而使焊线断裂的几率,进而提高LED的封装可靠度。
技术领域
本实用新型涉及LED光源封装技术领域,具体涉及一种新型LED封装结构。
背景技术
LED(Light Emitting Diode)的基板常用的导电层的表面金属主要是银,导电层的面积会尽量加大以提高散热效果。在实现导电及散热的同时,因为银的反射率较高,也有利于提高LED光效。但在长期使用下,银容易会出现因氧化或硫化导致变色,从而产生光衰。
若将银改为金,则可避免变色的问题。但由于金对可见光的吸收率大于银,LED的光效会降低,此外,由于封装层与金的结合强度较低,容易出现封装层与金分离从而拉断焊线,导致可靠度降低问题。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题在于克服现有技术中的LED基板的导电层表面金属采用银或金时,光效变低、甚至容易出现失效的问题,从而提供一种新型LED封装结构。
为解决上述技术问题,本实用新型的技术方案如下:
一种新型LED封装结构,包括:基板、金导电层和芯片;所述金导电层设置在所述基板的上表面,所述金导电层设有若干个镂空区域;所述芯片布设于所述镂空区域内并与所述基板固定连接,所述镂空区域的面积大于所述芯片的底面积,所述芯片的正、负电极分别通过焊线与所述金导电层对应连接以形成回路。
根据本实用新型的一些实施例,还包括正极焊盘和负极焊盘,所述正极焊盘和所述负极焊盘均设置于所述基板的下表面,所述基板中设有多个适于导通所述金导电层和所述正极焊盘、所述负极焊盘的导电通孔。
根据本实用新型的一些实施例,所述金导电层包括均设于所述基板上的正电路层和负电路层,所述正电路层和所述负电路层互不相连,且所述正电路层通过导电通孔与所述正极焊盘电连接,所述正电路层通过焊线与芯片的正极电连接;所述负电路层通过导电通孔和所述负极焊盘电连接,所述负电路层通过焊线与芯片的负极电连接,所述正电路层和所述负电路层围合形成多个所述镂空区域。
根据本实用新型的一些实施例,所述芯片数量为多个,多个所述芯片之间为串联和/或并联设置。
根据本实用新型的一些实施例,所述芯片的数量与所述镂空区域的数量一致,所述镂空区域呈对称分布。
根据本实用新型的一些实施例,还包括封装层,所述封装层设于所述基板上表面,所述封装层与所述基板连接以将所述金导电层、芯片及焊线密封。
根据本实用新型的一些实施例,所述封装层由透明硅胶或环氧树脂材料制成。
根据本实用新型的一些实施例,所述基板由无机非金属绝缘材料制成。
本实用新型技术方案,具有如下优点:
1.本实用新型提供的新型LED封装结构,通过在基板上设置金导电层,金导电层形成多个镂空区域,芯片布设于镂空区域内且与基板固定连接,通过减少金导电层的面积,进而减少对光的吸收,从而起到提高光效的作用。
2.本实用新型提供的新型LED封装结构,通过设置多个镂空区域,减少封装层与金导电层的粘接面积,使得封装层可以更多地与基板连接,提高封装层的粘接力,减少因封装层与金导电层的粘接性不高导致封装层脱离基板从而使焊线断裂的几率,可提高LED的封装可靠度。
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