[实用新型]一种高集成电容组件结构

权利要求书

1.一种高集成电容组件结构，结构分为后端滤波、支撑电容区和前端滤波三部分，其特征在于，结构包括集成式电容支座(1)，集成式电容支座(1)的一端设有三阶电容槽(1-6)，三阶电容槽(1-6)的一端紧贴支撑电容(1-1)的一端，支撑电容(1-1)的另一端连接电感固定槽(1-5)的一端，电感固定槽(1-5)的另一端连接电容槽组合以及磁环槽(1-7)，

电容槽组合设有正负铜排安装位置，正负铜排安装位置的两侧对称设置有2个一阶电容槽(1-2)，正负铜排安装位置的顶部设有2个二阶电容槽(1-3)，二阶电容槽(1-3)与一阶电容槽(1-2)垂直，同一侧的二阶电容槽(1-3)与一阶电容槽(1-2)连通，一阶电容槽(1-2)和支撑电容(1-1)之间设有圆形的电感固定槽(1-5)，二阶电容槽(1-3)的边缘处设有条状的接地槽(1-4)，

磁环槽(1-7)竖直设置，紧贴电容槽组合的一侧，磁环槽(1-7)内装有磁环(2)，

三阶电容槽(1-6)内装有第一Y电容(8)，

电感固定槽(1-5)内装有电感器(7)，

一阶电容槽(1-2)内装有第二Y电容(3)，

二阶电容槽(1-3)内装有第三Y电容(5)，

结构的顶部为与集成式电容支座(1)相匹配的驱动控制电路板(9)。

2.根据权利要求1所述的一种高集成电容组件结构，其特征在于，正负铜排安装位置上安装正负铜排(4)，正负铜排(4)两端有的两组正负卡钳(4-1)，两组正负卡钳(4-1)分别夹紧第二Y电容(3)的一根端子和第三Y电容(5)的一根端子，

接地槽(1-4)内装有接地铜排(6)，接地铜排(6)的两个接地卡钳(6-1)同时夹紧第二Y电容(3)的另一根端子和第三Y电容(5)的另一根端子。

3.根据权利要求1所述的一种高集成电容组件结构，其特征在于，所述支撑电容区位于高集成电容组件结构的中间区域，支撑电容区为灌封在集成式电容支座(1)内的支撑电容(1-1)，支撑电容(1-1)为薄膜电容。

4.根据权利要求1所述的一种高集成电容组件结构，其特征在于，磁环(2)为纳米晶磁环。

5.根据权利要求1所述的一种高集成电容组件结构，其特征在于，第一Y电容(8)的数量为2个。

6.根据权利要求5所述的一种高集成电容组件结构，其特征在于，2个第一Y电容(8)紧贴，置于三阶电容槽(1-6)中。

7.根据权利要求1所述的一种高集成电容组件结构，其特征在于，第二Y电容(3)的容值为68nF，第三Y电容(5)的容值为10nF。

8.根据权利要求1所述的一种高集成电容组件结构，其特征在于，第一Y电容(8)的容值为220nF。

9.根据权利要求1所述的一种高集成电容组件结构，其特征在于，驱动控制电路板(9)与集成式电容支座(1)、电感器(7)和第二Y电容(3)的针脚通过锡焊电气连接。

10.根据权利要求1所述的一种高集成电容组件结构，其特征在于，Y电容通过点胶固定到电容槽内。