[实用新型]一种用于电力二次设备SOE分辨率测试的快速开出模件

权利要求书

1.一种用于电力二次设备SOE分辨率测试的快速开出模件，其特征在于，包括：微控单元MCU；启停按钮、拨码开关、绝缘栅双极型晶体管驱动电路分别与所述微控开关MCU电连接；绝缘栅双极型晶体管分别与防护电路和所述绝缘栅双极型晶体管驱动电路电连接。

2.根据权利要求1所述的用于电力二次设备SOE分辨率测试的快速开出模件，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管驱动电路包括非门芯片U1、隔离光耦D1、隔离光耦D2、PMOS管Q1和NMOS管Q2，其中，

隔离光耦D1的1脚通过电阻R1接电压VCC；隔离光耦D1的2脚接微控单元MCU的第一GPIO管脚；隔离光耦D1的3脚通过电阻R3、电阻R4接PMOS管Q1的栅极，通过电阻R3、电阻R2接+15V电压；隔离光耦D1的4脚接+5V电压；

隔离光耦D2的1脚通过电阻R5接电压VCC；隔离光耦D2的2脚通过非门芯片U1接微控单元MCU的第二GPIO管脚；隔离光耦D2的3脚通过电阻R6接NMOS管Q2的栅极，通过电阻R6、电阻R7接地；隔离光耦D2的4脚接+5V电压；

PMOS管Q1的源极接+15V电压；NMOS管Q2的源极接地；PMOS管Q1的漏极、NMOS管Q2的漏极分别通过电阻R8接绝缘栅双极型晶体管Q3。

3.根据权利要求2所述的用于电力二次设备SOE分辨率测试的快速开出模件，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管Q3的门极通过电阻R8分别接PMOS管Q1的漏极、NMOS管Q2的漏极，通过电阻R9接地，双向TVS管V1与电阻R9并联；所述绝缘栅双极型晶体管Q3的发射极接负接点OUT-；所述绝缘栅双极型晶体管Q3的集电极接正接点OUT+，所述绝缘栅双极型晶体管Q3的发射极接地。

4.根据权利要求3所述的用于电力二次设备SOE分辨率测试的快速开出模件，其特征在于，所述电阻R8、电阻R9为氧化膜电阻。

5.根据权利要求3所述的用于电力二次设备SOE分辨率测试的快速开出模件，其特征在于，所述防护电路连接在所述绝缘栅双极型晶体管Q3的发射极和集电极之间。

6.根据权利要求5所述的用于电力二次设备SOE分辨率测试的快速开出模件，其特征在于，所述防护电路包括二极管V2、二极管V3、电阻R10、压敏电阻RV1～RV3、电容C1～C3；

二极管V2并联于绝缘栅双极型晶体管Q3的发射极和集电极之间；

二极管V3并联电阻R10后串联电容C3组成RCD缓冲电路，然后并联于绝缘栅双极型晶体管Q3的发射极和集电极之间；

压敏电阻RV1并联于绝缘栅双极型晶体管Q3的发射极和集电极之间；

电容C1一端与绝缘栅双极型晶体管Q3的集电极连接，另一端接地；

压敏电阻RV2一端与绝缘栅双极型晶体管Q3的集电极连接，另一端接地；

电容C2一端与绝缘栅双极型晶体管Q3的发射极连接，另一端接地；

压敏电阻RV3一端与绝缘栅双极型晶体管Q3的发射极连接，另一端接地。

7.根据权利要求1所述的用于电力二次设备SOE分辨率测试的快速开出模件，其特征在于，所述拨码开关采用至少4位的8421码。