[实用新型]自供电驱动电源供电系统有效
申请号: | 202320384657.7 | 申请日: | 2023-03-05 |
公开(公告)号: | CN219394432U | 公开(公告)日: | 2023-07-21 |
发明(设计)人: | 张力;周缘;林磊;殷天翔 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | H02J1/00 | 分类号: | H02J1/00;H02M3/335;H02M1/00 |
代理公司: | 南京汇盛专利商标事务所(普通合伙) 32238 | 代理人: | 张立荣 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 供电 驱动 电源 供电系统 | ||
本实用新型公开一种自供电驱动电源供电系统,该系统能实现故障状态下为驱动器不间断供电。该系统连接在应用系统的高压直流母线上,输出为驱动器供电,包括母线变换器、储能接口变换器、低压直流母线和驱动电源。本实用新型中母线接口变换器采用输入串联/输出并联的直流变压器组合模块来构建,可靠性较高,可同时实现高效功率变换、“N+1”冗余运行和输入自动均压/输出自动均流。该系统集成了储能单元,其成本较低,可实现开关管驱动器的冗余供电和不间断供电,极大提高了驱动电源供电系统的可靠性。
技术领域
本实用新型属于电力电子技术领域,涉及一种自供电驱动电源供电系统。
背景技术
碳化硅(SiC)是第三代半导体材料的典型代表。相比Si材料,其具有更宽的禁带宽度、更高的饱和电子速度、更高的电子迁移率、更小的介电常数和更好的导电性能,使SiC器件在高频、高压、高温应用场合具有明显优势。近年来,高压SiC-MOSFET(10kV/15kV)发展迅速。相比相同电压等级的Si-IGBT,其开关频率更高、开关速度更快、开关损耗更小,被誉为是下一代中高压功率变换的“规则改变者”。采用高压SiC-MOSFET替代高压Si-IGBT,可极大提高开关频率,实现中高压变流器的紧凑化、小型化、轻量化。
高性能SiC驱动模块,包括驱动器和驱动电源,是充分发挥高压SiC-MOSFET优势的重要保障。其中,驱动电源是SiC驱动模块的能量源,不仅直接影响SiC-MOSFET驱动器的供电可靠性,还间接影响整个换流器的工作可靠性。考虑到高压SiC-MOSFET的高压、高速和高频工作特性,其驱动电源需具有较高的隔离电压、较低的耦合电容和较高的可靠性。
根据供电来源,驱动电源供电系统可分为外供电架构与自供电架构两种。采用外供电架构时,驱动电源的供电来源于外部独立的低压直流母线,使其可独立于中高压变流器工作,简化了启动和关机时序。然而,变流器的最高工作电压不能超过驱动电源的隔离电压,约束了变流器的增压扩容能力。采用自供电架构时,驱动电源的供电来源于变流器内部的分布式高压直流母线,不仅降低了绝缘设计和绝缘配合的难度,还有利于变流器实现模块化增压扩容,相比外供电驱动电源系统具有明显的先进性。
以多只串联的低压开关管代替中压开关管,Chen X等和Modeer T等分别在“Research on a 4000-V ultrahigh-input switched-mode power supply usingseries-connected MOSFETs[J].IEEE Transactions on Power Electronics,2018,33(7):5995–6011.”和“High-voltage tapped-inductor buck converter utilizing anautonomous high-side switch.IEEE Transactions on Industrial Electronics[J],2015,62(5):2868–2878.”中研制了4kV/160V和3kV/100V自供电驱动电源供电系统。然而,串联开关管的动态均压控制难度很大,且任一开关管的开路故障将导致变换器无法运行,容错运行能力差。
发明内容
本实用新型的目的是提出一种自供电驱动电源供电系统,该系统能实现故障状态下为驱动器不间断供电。
本实用新型采用如下技术方案:
一种自供电驱动电源供电系统,连接在应用系统的高压直流母线上,输出为驱动器供电,包括母线变换器、储能接口变换器、低压直流母线和驱动电源,
所述母线接口变换器包括母线接口控制器和N组直流变压器模块,所述母线接口变换器的N组直流变压器模块采用输入串联/输出并联方式连接在高压直流母线与低压直流母线之间;每组直流变压器模块包括旁路开关、旁路电阻、直流变压器主电路和输出二极管,旁路开关和直流变压器主电路分别与母线接口控制器连接,其中N≥2;
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