[实用新型]半导体工艺设备及其下电极结构有效
申请号: | 202320418456.4 | 申请日: | 2023-02-28 |
公开(公告)号: | CN219553582U | 公开(公告)日: | 2023-08-18 |
发明(设计)人: | 姜艳杰;高瑞;王德志 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/3065;H01J37/32;H01J37/04 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 工艺设备 及其 电极 结构 | ||
1.一种下电极结构,用于半导体工艺腔室,其特征在于,所述下电极结构包括基座、卡盘、顶针机构以及射频馈入机构,其中,
所述卡盘设置于所述基座上方,用于承载晶圆;
所述基座包括基座本体,所述基座本体内部形成有容置空腔,所述顶针机构包括顶针、顶针支架和中心导向轴,所述中心导向轴固定设置于所述容置空腔内,所述顶针支架能够沿所述中心导向轴升降以带动所述顶针升降,所述中心导向轴与所述卡盘同轴设置;
所述射频馈入机构穿过所述容置空腔且与所述卡盘下表面的中央相连,所述射频馈入机构在所述容置空腔内倾斜设置以避让所述中心导向轴。
2.根据权利要求1所述的下电极结构,其特征在于,所述顶针机构还包括第一连接件,所述射频馈入机构包括馈入棒和接地筒,所述馈入棒与所述接地筒同轴设置;
所述基座本体的顶部具有接地板,所述接地筒与所述接地板下表面的中央相连,所述第一连接件固定在所述接地板的下表面,并位于所述接地筒的一侧,所述中心导向轴上端与所述第一连接件固定连接,下端与所述顶针支架可移动地连接,用于为所述顶针支架的升降过程导向。
3.根据权利要求2所述的下电极结构,其特征在于,所述顶针机构还包括第一驱动件、升降连接件以及第一辅助导向轴;
所述第一驱动件的固定端与所述第一连接件相连,所述第一驱动件的驱动端与所述升降连接件相连;所述升降连接件与所述顶针支架固定连接,用于带动所述顶针升降;所述第一辅助导向轴位于所述第一驱动件远离所述中心导向轴的一侧,所述第一辅助导向轴的上端与所述第一连接件固定连接,所述第一辅助导向轴的下端与所述升降连接件可移动地连接,用于为所述升降连接件导向。
4.根据权利要求3所述的下电极结构,其特征在于,所述升降连接件位于所述顶针支架的下方;
所述升降连接件的中部设有用于与所述第一驱动件的活塞相连的连接孔,所述升降连接件还设有中心轴承和第一辅助轴承,二者分别与所述中心导向轴和第一辅助导向轴配合,所述顶针支架通过所述中心轴承与所述升降连接件相连。
5.根据权利要求1所述的下电极结构,其特征在于,所述顶针机构还包括用于连接所述顶针和所述顶针支架的高度调节结构;
所述高度调节结构包括调节块和调节螺钉,所述调节块安装在所述顶针支架上,所述顶针安装在所述调节块上,所述调节螺钉与所述顶针支架螺纹连接,用于推动所述调节块上升。
6.根据权利要求3所述的下电极结构,其特征在于,所述射频馈入机构穿过所述基座本体的侧壁与所述卡盘相连,所述接地筒包括与所述卡盘相连的竖接段、穿过所述基座本体的侧壁伸入所述容置空腔中的横接段以及位于所述竖接段和所述横接段之间的倾斜让位段;
所述第一驱动件位于所述竖接段的一侧,所述第一连接件包括第一连接段、第二连接段和位于二者之间的第一折弯段,其中,所述第一连接段连接所述第一驱动件和所述第一辅助导向轴,所述第一折弯段向下折弯,以避让所述竖接段,所述第二连接段位于所述第一折弯段远离所述第一连接段的一侧,并向所述卡盘的轴线延伸,以连接所述中心导向轴。
7.根据权利要求3至6任意一项所述的下电极结构,其特征在于,还包括屏蔽环机构,所述屏蔽环机构包括屏蔽环、支撑杆、屏蔽环支架以及中心驱动轴,所述基座本体的底板的中央设有安装孔;
所述中心驱动轴可移动地安装在所述安装孔中,所述支撑杆围绕所述基座本体设置,用于支撑所述屏蔽环,所述屏蔽环支架位于所述基座本体的下方,所述中心驱动轴能够带动所述屏蔽环升降,所述中心驱动轴与所述卡盘同轴设置,且所述中心驱动轴与所述基座本体滑动密封连接。
8.根据权利要求7所述的下电极结构,其特征在于,所述屏蔽环机构还包括第二驱动件、第二连接件以及第二辅助导向轴;
所述第二连接件设置于所述容置空腔内,所述中心驱动轴的上端与所述第二连接件相连,所述中心驱动轴的下端与所述屏蔽环支架相连,所述第二驱动件设置在所述基座本体的底板上,所述第二驱动件的驱动端与所述第二连接件相连,用于带动所述屏蔽环支架升降。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造