[实用新型]研磨液供应装置及研磨系统

说明书

本实用新型提供了一种研磨液供应装置、及研磨系统，其中该研磨液供应装置包括：研磨液供应源，其包含：粗研磨液供应源及细研磨液供应源；及研磨液供应阀，其包含：混合部；第一进料端，设置于该混合部的一端，与该粗研磨液供应源相连接；第二进料端，相对于该第一进料端设置于该混合部的一端，与该细研磨液供应源相连接；及流量控制件，设置于该混合部上。其中：由该研磨液供应装置所制备的研磨液可降低盘面的清洗难度，并减少清洗所需的时间成本，以降低制程工序的复杂度。

技术领域

本实用新型关于一种研磨系统，尤其涉及研磨液供应装置及研磨系统。

背景技术

晶棒于切割后所产生的晶圆片，由于切割刀片或切割线的应力所造成的切割面凹凸不平，需进一步将表面进行研磨以达到光滑的状态；业界常见的研磨方式是使用研磨垫进行表面研磨，形成光滑状态；研磨垫的研磨面结构设计通常为放射状、同心圆状、方格状、旋涡状等结构设计，然而上述研磨垫在进行作业过程时，存在了研磨液分布不平均、且排屑速度慢、排屑量低的缺点，导致研磨效率不佳。

由于碳化硅(SiC)具备了有高能隙、高击穿电场、高饱和电子漂移速度及高热导率等物理特性，在1200伏特以上的高压环境下具有相当的应用面优势同时，然而SiC硬度高且脆性大，导致加工困难；通常在切割工序结束后，必须经过一段粗研磨的处理工序以达到初步的表面平坦化；在粗研磨工序中通常使用粗研磨液以增进研磨效果，然而以碳化硼为主成分的粗研磨液，颗粒大、粒径分布不平均且容易形成团块，导致加工后留下较深的磨痕，且不易清洗致使研磨后续盘修整困难，同时也产生了相当大的环境压力。

实用新型内容

为了具体应对现有技术所具备的缺陷，以达到研磨液均匀分布及高排屑量，本实用新型的一目的乃提供一种研磨液供应装置，其特征在于，包括：研磨液供应源，其包含：粗研磨液供应源及细研磨液供应源；及研磨液供应阀，其包含：混合部；第一进料端，设置于该混合部的一端，与该粗研磨液供应源相连接；第二进料端，相对于该第一进料端设置于该混合部的一端，与该细研磨液供应源相连接；及流量控制件，设置于该混合部上。

如上所述的研磨液供应装置，其中进一步包括：第一连通管件，设置以连通该粗研磨液供应源及该第一进料端；及第二连通管件，设置以连通该细研磨液供应源及该第二进料端。

如上所述的研磨液供应装置，其中进一步包括：第一泵，设置于该第一连通管件上；及第二泵，设置于该第二连通管件上。

如上所述的研磨液供应装置，其中进一步包括第三连通管件，其一端与该研磨液供应阀连接，另一端设置有出料端。

如上所述的研磨液供应装置，其中更包括第三泵，设置于该第三连通管件上。

如上所述的研磨液供应装置，其中更包括稀释装置，设置于该出料端及该研磨液供应阀之间。

如上所述的研磨液供应装置，其中该稀释装置更具有均质器。

本实用新型的另一目的乃提供一种单面研磨系统，其特征在于，包括单面研磨驱动装置及如上所述的研磨液供应装置，其中，该单面研磨驱动装置包括：研磨盘；研磨垫，设置于该研磨盘上；及研磨驱动轴，其是中空管体，设置于该研磨盘下，其一端与该出料端相连接。

本实用新型的又一目的乃提供一种双面研磨系统，其特征在于，包括双面研磨装置及如上所述的研磨液供应装置，其中，该双面研磨装置包含：上盘；中心齿轮，设置于该上盘下方；下盘，设置于该中心齿轮下方；内齿齿轮，设置于该下盘的外周部；研磨垫，设置于该上盘及该下盘之间；及研磨驱动轴，设置于该下盘下，其中该研磨驱动轴是中空管体，一端与该出料端连通。

如上所述的双面研磨系统，其中该研磨垫包括：主体；多个沟槽，以该主体的几何中心朝周缘辐射状排列于该主体的一侧面；及多个研磨区，形成于两两该沟槽之间，其中，以该研磨区为水平面，该沟槽底部的深度由该主体的周缘朝该主体的几何中心逐渐加深。