[实用新型]一种自降噪装置

权利要求书

1.一种自降噪装置，包括PCB板（200），PCB板（200）上设有外壳（100），其特征在于：所述外壳（100）内设有第一后腔（500）和第二后腔（501），第一后腔（500）内的PCB板（200）上设有传感器单元，传感器单元包括壳体（300），壳体（300）的顶部设有孔（306），孔（306）上方的壳体上设有第一MEMS芯片（400），第二后腔（501）内的PCB板（200）上设有音孔（205），音孔（205）正上方的PCB板（200）上设有第二MEMS芯片（405），外壳（100）内设有ASIC（401），ASIC（401）分别与第一MEMS芯片（400）、第二MEMS芯片（405）电连接，ASIC（401）实现对第一MEMS芯片（400）与第二MEMS芯片（405）的信号的降噪处理。

2.根据权利要求1所述的一种自降噪装置，其特征在于：所述ASIC401包括差分处理器（1）、增益控制器（2）、线性稳压器（3）和电荷泵（4），差分处理器（1）的一个输入端经增益控制器（2）接第一MEMS芯片（400），差分处理器（1）的另一个输入端接第二MEMS芯片（405）。

3.根据权利要求2所述的一种自降噪装置，其特征在于：所述ASIC（401）设置在第一后腔（500）内的壳体（300）上。

4.根据权利要求2所述的一种自降噪装置，其特征在于：所述ASIC（401）设置在第二后腔（501）内的PCB板（200）上。

5.根据权利要求3或4所述的一种自降噪装置，其特征在于：所述壳体（300）的内部设有膜状薄片（301），膜状薄片（301）的中心下方设有薄片（302）。

6.根据权利要求5所述的一种自降噪装置，其特征在于：所述膜状薄片（301）靠近外周的位置设有钢性支撑结构（303），钢性支撑结构（303）分别与壳体（300）的顶部和侧部固定连接。

7.根据权利要求3所述的一种自降噪装置，其特征在于：所述第一后腔（500）内的PCB板（200）的上表面设有内部电源焊盘（206）、极化电压输出焊盘（207）、ASIC信号输出焊盘（208）、MEMS芯片信号输入焊盘（209），第二后腔（501）内的PCB板（200）上设有极化电压输入焊盘（210）、MEMS芯片信号输出焊盘（211），ASIC（401）分别通过内部电源焊盘（206）、极化电压输出焊盘（207）、ASIC信号输出焊盘（208）、MEMS芯片信号输入焊盘（209）、极化电压输入焊盘（210）、MEMS芯片信号输出焊盘（211）与第二MEMS芯片（405）电连接。

8.根据权利要求4所述的一种自降噪装置，其特征在于：所述第二后腔（501）内的PCB板（200）的上表面设有内部电源焊盘（206）、极化电压输出焊盘（207）、ASIC信号输出焊盘（208）、MEMS芯片信号输入焊盘（209），第一后腔（500）内的PCB板（200）上设有极化电压输入焊盘（210）、MEMS芯片信号输出焊盘（211），ASIC（401）分别通过内部电源焊盘（206）、极化电压输出焊盘（207）、ASIC信号输出焊盘（208）、MEMS芯片信号输入焊盘（209）、极化电压输入焊盘（210）、MEMS芯片信号输出焊盘（211）与第一MEMS芯片（400）电连接。

9.根据权利要求7或8所述的一种自降噪装置，其特征在于：所述PCB板（200）的下表面分别设有电源输入外部焊盘（201）、信号输出外部焊盘（202）、第一电源接地焊盘（203）和第二电源接地焊盘（204）。

10.根据权利要求9所述的一种自降噪装置，其特征在于：所述电源输入外部焊盘（201）、信号输出外部焊盘（202）、第一电源接地焊盘（203）、第二电源接地焊盘（204）与内部电源焊盘（206）、极化电压输出焊盘（207）、ASIC信号输出焊盘（208）、MEMS芯片信号输入焊盘（209）、极化电压输入焊盘（210）、MEMS芯片信号输出焊盘（211）电连接。