[实用新型]一种具有双向ESD保护能力的SGT-MOS器件

权利要求书

1.一种具有双向ESD保护能力的SGT-MOS器件，包括：源极金属(1)，从上到下依次设置于所述源极金属(1)下部的漂移区(2)、衬底(3)和漏极金属(4)，以及MOS器件本体(11)，其特征在于：

所述源极金属(1)的下部设置有N型重掺杂区(8)和P型重掺杂区(9)，所述N型重掺杂区(8)和所述P型重掺杂区(9)的下部设置有P型基区(10)，所述P型基区(10)设置于所述漂移区(2)的上部；

所述漂移区(2)的上表面两侧均设置有屏蔽栅沟槽机构(5)，所述屏蔽栅沟槽机构(5)包括：由上至下依次叠加设置的N+Poly栅极区(51)、第一P型轻掺杂区(52)、N型轻掺杂区(53)、第二P型轻掺杂区(54)和N型源极接触区(55)；所述漂移区(2)的内部开设有连通槽(7)，两侧所述屏蔽栅沟槽机构(5)通过所述连通槽(7)相连通。

2.根据权利要求1所述的一种具有双向ESD保护能力的SGT-MOS器件，其特征在于：所述漂移区(2)的形状为凸台形，两个所述屏蔽栅沟槽机构(5)呈镜像设置于所述屏蔽栅沟槽机构(5)的凸起的两侧。

3.根据权利要求1所述的一种具有双向ESD保护能力的SGT-MOS器件，其特征在于：所述屏蔽栅沟槽机构(5)的外侧设置有氧化层(6)，用于隔离开所述屏蔽栅沟槽机构(5)与所述源极金属(1)、漂移区(2)、N型重掺杂区(8)、P型重掺杂区(9)及P型基区(10)。

4.根据权利要求3所述的一种具有双向ESD保护能力的SGT-MOS器件，其特征在于：所述氧化层(6)内填充有二氧化硅，所述氧化层(6)的厚度最低为2nm。

5.根据权利要求1所述的一种具有双向ESD保护能力的SGT-MOS器件，其特征在于：所述连通槽(7)的内部穿插有导线，两侧的所述N型轻掺杂区(53)之间通过所述导线电性连接。

6.根据权利要求1所述的一种具有双向ESD保护能力的SGT-MOS器件，其特征在于：所述MOS器件本体(11)的两侧均设置有拿取板(12)，所述拿取板(12)包括：固定设置于所述拿取板(12)下表面的下卡块(1201)，以及设置于所述拿取板(12)上表面的弹性板(1202)；所述弹性板(1202)的外端固定设置有上卡块(1203)，所述下卡块(1201)与所述上卡块(1203)的形状均为L形。

7.根据权利要求6所述的一种具有双向ESD保护能力的SGT-MOS器件，其特征在于：所述MOS器件本体(11)的两侧面均开设有下卡槽(1101)及上卡槽(1102)，所述下卡块(1201)与所述下卡槽(1101)卡合连接，所述上卡块(1203)与所述上卡槽(1102)卡合连接。

8.根据权利要求6所述的一种具有双向ESD保护能力的SGT-MOS器件，其特征在于：所述拿取板(12)的外表面设置有手指部(1204)，所述手指部(1204)低于所述拿取板(12)两边的高度。

9.根据权利要求8所述的一种具有双向ESD保护能力的SGT-MOS器件，其特征在于：所述手指部(1204)的四周设置有侧护边(1205)，所述侧护边(1205)与所述拿取板(12)的外表面之间设置有倒角。

10.根据权利要求8所述的一种具有双向ESD保护能力的SGT-MOS器件，其特征在于：所述手指部(1204)的外表面设置有若干个凸粒(1206)，所述凸粒(1206)的形状为半圆形，若干个所述凸粒(1206)呈均匀分布。