[实用新型]一种雪崩光电二极管抗干扰封装结构有效
申请号: | 202320858882.X | 申请日: | 2023-04-18 |
公开(公告)号: | CN219246688U | 公开(公告)日: | 2023-06-23 |
发明(设计)人: | 孙骏逸 | 申请(专利权)人: | 苏州如涵科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0203 | 分类号: | H01L31/0203;H01L31/107 |
代理公司: | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人: | 王富成 |
地址: | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 雪崩 光电二极管 抗干扰 封装 结构 | ||
1.一种雪崩光电二极管抗干扰封装结构,其特征在于,包括
主体机构(10),所述主体机构(10)包括PCB基板(110)和盖板(120),所述PCB基板(110)表面与所述盖板(120)底部贴合;
抗干扰封装机构(20),所述抗干扰封装机构(20)包括抗干扰部(210)和封装部(220),所述PCB基板(110)内壁开设有所述抗干扰部(210),所述封装部(220)设于所述PCB基板(110)和所述盖板(120)贴合处。
2.根据权利要求1所述的一种雪崩光电二极管抗干扰封装结构,其特征在于,所述抗干扰部(210)包括倒置锥形槽(211)、金属膜(212)和增透膜(213),所述PCB基板(110)内壁开设有所述倒置锥形槽(211),且所述倒置锥形槽(211)内壁还镀有金属高反射膜,所述金属膜(212)和所述增透膜(213)底部与所述盖板(120)表面紧密黏贴,所述增透膜(213)与所述倒置锥形槽(211)对应。
3.根据权利要求2所述的一种雪崩光电二极管抗干扰封装结构,其特征在于,所述封装部(220)包括长方形卡槽(221)、长方形卡框(222)和树脂(223),所述PCB基板(110)表面开设有所述长方形卡槽(221),所述长方形卡框(222)顶端与所述盖板(120)底部边缘固定连接,且底端与所述长方形卡槽(221)内底部卡接,所述树脂(223)放置在所述长方形卡槽(221)内部。
4.根据权利要求3所述的一种雪崩光电二极管抗干扰封装结构,其特征在于,主体机构(10)还包括固定部(130),所述固定部(130)内壁与所述PCB基板(110)和所述盖板(120)外壁固定连接。
5.根据权利要求4所述的一种雪崩光电二极管抗干扰封装结构,其特征在于,所述固定部(130)包括加固框(131)、密封垫(132)和若干固紧螺栓(133),所述加固框(131)内壁与所述密封垫(132)外壁紧密黏贴,所述密封垫(132)内壁与所述PCB基板(110)表面和所述盖板(120)底部连接处外壁贴合,若干所述固紧螺栓(133)底端分别等间距的贯穿所述加固框(131)和所述密封垫(132)外壁与所述PCB基板(110)和所述盖板(120)外壁固定连接。
6.根据权利要求5所述的一种雪崩光电二极管抗干扰封装结构,其特征在于,所述主体机构(10)还包括安装槽(140),所述盖板(120)表面开设有所述安装槽(140),且所述安装槽(140)内壁设有所述增透膜(213),并与所述倒置锥形槽(211)顶端贴合。
7.根据权利要求6所述的一种雪崩光电二极管抗干扰封装结构,其特征在于,所述主体机构(10)还包括两个凹槽(150),所述PCB基板(110)外壁两侧开设有两个所述凹槽(150)。
8.根据权利要求7所述的一种雪崩光电二极管抗干扰封装结构,其特征在于,所述主体机构(10)还包括元器件(160),所述元器件(160)固定端与所述倒置锥形槽(211)内底部固定连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的