[实用新型]一种提升干法刻蚀均匀度的装置有效

专利信息
申请号: 202320890422.5 申请日: 2023-04-19
公开(公告)号: CN219418951U 公开(公告)日: 2023-07-25
发明(设计)人: 陶龙海 申请(专利权)人: 上海芯之翼半导体材料有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;H01J37/20;H01J37/21
代理公司: 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 代理人: 张磊
地址: 201506 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 提升 刻蚀 均匀 装置
【权利要求书】:

1.一种提升干法刻蚀均匀度的装置,其特征在于,包括:

设于刻蚀设备中的基座;

设于所述基座上的位置校正机构;

所述基座的表面上设有静电吸盘,所述静电吸盘的外侧设有聚焦环,所述聚焦环与所述静电吸盘之间具有安装间隙;

所述位置校正机构紧密贴附于所述静电吸盘的侧面上,并定位于所述安装间隙中,且所述位置校正机构的外周与所述静电吸盘的外周同心,所述聚焦环通过紧密套设于所述位置校正机构的外侧面上,得到来自所述位置校正机构外侧面的横向弹性力的作用,实现相对于所述静电吸盘的自动对中以定位并安装。

2.根据权利要求1所述的提升干法刻蚀均匀度的装置,其特征在于,所述位置校正机构位于所述静电吸盘侧面上时,所述位置校正机构的外径在自由状态下大于所述聚焦环的内径,和/或,所述位置校正机构突出于所述静电吸盘侧面的横向厚度大于所述安装间隙的尺寸,和/或,所述位置校正机构面向上方的表面低于所述安装间隙的上端。

3.根据权利要求1所述的提升干法刻蚀均匀度的装置,其特征在于,所述位置校正机构包括弹性环。

4.根据权利要求3所述的提升干法刻蚀均匀度的装置,其特征在于,所述弹性环具有圆形、椭圆形或多边形的断面。

5.根据权利要求3所述的提升干法刻蚀均匀度的装置,其特征在于,所述静电吸盘的侧面上设有凹槽,所述弹性环嵌设于所述凹槽中得到定位,且所述弹性环的外侧面自所述静电吸盘的侧面上露出,以与所述聚焦环形成弹性抵接。

6.根据权利要求5所述的提升干法刻蚀均匀度的装置,其特征在于,所述弹性环包括第一配合部和第二配合部,所述第一配合部嵌设于所述凹槽中,所述第二配合部位于所述第一配合部的外侧上,并自所述凹槽中伸出,所述第二配合部的外侧面用于与所述聚焦环形成弹性抵接。

7.根据权利要求6所述的提升干法刻蚀均匀度的装置,其特征在于,所述第一配合部具有与所述凹槽内壁对应的断面轮廓,和/或,所述第二配合部具有水平的上表面,和/或,所述第二配合部具有竖直的外侧面。

8.根据权利要求6所述的提升干法刻蚀均匀度的装置,其特征在于,所述第二配合部的纵向厚度小于所述第一配合部的纵向厚度,从而在所述弹性环的上下两侧上形成肩部结构。

9.根据权利要求6所述的提升干法刻蚀均匀度的装置,其特征在于,所述第二配合部的表面上设有保护层。

10.根据权利要求1所述的提升干法刻蚀均匀度的装置,其特征在于,所述位置校正机构设有围绕所述静电吸盘侧面的连续橡胶层。

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