[实用新型]一种用于压电薄膜原位极化工艺的双栅极极化设备有效
| 申请号： | 202321044864.4 | 申请日： | 2023-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN219146074U | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 潘思怡;史航宇;邢天宇;陈昭如;胡潇然;钟乐黎;王硕;张祖祺 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H10N30/045 | 分类号： | H10N30/045 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 邓黎 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 压电 薄膜 原位 极化 工艺 栅极 设备 | ||
1.一种用于压电薄膜原位极化工艺的双栅极极化设备，其特征在于，包括：支撑结构、金属旋转基板、待极化件、上源极、上栅极、下源极、下栅极；
所述支撑结构作为双栅极极化设备的支撑底座；
所述金属旋转基板设置于支撑结构的上方，且能够关于其中心点转动；
所述待极化件，放置于所述金属旋转基板的上表面，随所述金属旋转基板转动；
所述上源极和所述下源极为结构相同的圆形实心金属板；
所述上栅极和所述下栅极为设置有均匀网格结构的金属圆盘；
所述上栅极位于所述待极化件的正上方，所述下栅极位于所述待极化件的正下方；
所述上源极位于所述上栅极的正上方，所述下源极位于所述下栅极的正下方。
2.如权利要求1所述的一种用于压电薄膜原位极化工艺的双栅极极化设备，其特征在于，所述上源极与所述上栅极之间的间距和所述下源极与所述下栅极之间的间距相同，该间距取值范围为1-2mm。
3.如权利要求2所述的一种用于压电薄膜原位极化工艺的双栅极极化设备，其特征在于，所述待极化件与所述上栅极、所述下栅极的距离相同，该距离取值范围为10－25mm。
4.如权利要求3所述的一种用于压电薄膜原位极化工艺的双栅极极化设备，其特征在于，所述上栅极和所述下栅极的网格结构形状为正方形，正方形的边长取值范围为1－10mm。
5.如权利要求4所述的一种用于压电薄膜原位极化工艺的双栅极极化设备，其特征在于，所述待极化件包括玻璃基底及位于其上表面的压电薄膜。
6.如权利要求4所述的一种用于压电薄膜原位极化工艺的双栅极极化设备，其特征在于，所述金属旋转基板的旋转速度为5-10r/min。
7.如权利要求6所述的一种用于压电薄膜原位极化工艺的双栅极极化设备，其特征在于，所述金属旋转基板的直径取值范围为50-100cm。
8.如权利要求7所述的一种用于压电薄膜原位极化工艺的双栅极极化设备，其特征在于，所述上源极、下源极、上栅极、下栅极的直径相同，取值范围为60-120cm。
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