[其他]用工业纯原料气进行等离子化学气相沉积的涂层方法与设备

权利要求书

1、一种辉光放电作用下进行化学气相沉积制备金属化合物涂层的方法，其特征在于将工业纯原料气通入一种等离子化学气相沉积设备，与至少一种金属卤化物蒸汽一道输进设备的离子轰击炉，在温度400～650℃、真空度10～10^-2mmHg、电压400～1000V以及工件不旋转的条件下进行等离子化学气相沉积(PCVD)，在工件表面获得金属化合物涂层的方法。

2、根据权利要求1所述的方法，其特征为在制备金属化合物涂层时，用工业纯H₂、工业纯Ar和工业纯的活性反应气体作原料气。

3、根据权利要求1所述的方法，其特征在于制备金属氮化物涂层时，可用工业纯NH₃和工业纯Ar作原料气。

4、根据权利要求1、2、3所述的方法，其特征在于输进离子轰击炉的H₂占5～45%，Ar占55～95%。

5、本发明使用的等离子化学气相沉积设备，其特征在于由原料气处理系统、金属卤化物或其它液体汽化的装置以及离子轰击炉各部份所组成。

6、根据权利要求5所述的等离子化学气相沉积设备，其特征在于其中原料气处理系统，视需沉积的金属化合物种类和原料气来源，可以包括工业纯NH₃分解干燥系统、工业纯Ar净化系统、工业纯H₂净化系统和工业纯的活性反应气体净化系统四者都有的系统，也可以是由后三者组合的系统，还可以是只由前二者组合的系统。

7、根据权利要求5和6所述的原料气处理系统，其特征在于其中NH₃分解干燥系统是一种可以将残NH₃降至0.01%以下的由NH₃分解炉与硅胶分子筛吸附塔组成的系统。

8、根据权利要求5和6所述的原料气处理系统，其特征在于其中工业纯Ar、工业纯H₂、工业纯活性反应气体净化系统，是能分别将其水份和残O₂降至0.01%以下的硅胶、分子筛、鈀筛吸附塔组成的系统。

9、根据权利要求5所述等离子化学气相沉积设备，其特征在于其中金属卤化物或其它液体汽化的装置是至少能将一种金属卤化物或其他液体进行恒温汽化的汽化瓶和恒温浴。

10、根据权利要求5所述的等离子化学气相沉积设备，其特征在于其中离子轰击炉是经过改进的包括真空室、碱吸收阱、油封式真空泵、水环式真空泵和离子电源所组成的离子氮化炉。

11、根据权利要求5和10所述的等离子化学气相沉积设备，其特征在于真空室内壁涂以耐热抗蚀涂料。

12、根据权利要求5和10所述的等离子化学气相沉积设备，其特征在于真空室内设有包围工件并兼作阳极的供气喷咀。