[其他]高分辨率深能级瞬态谱仪的设备方法与仪器

权利要求书

1、关于半导体深能级瞬态谱仪中瞬态讯号处理仪的设置方法，其特征是对瞬态讯号设置多点组合率窗系列SRW(m)，即对一个瞬态讯号设置多于两个不同时间的取样点，将这些所取讯号组合，所得的谱讯号是大大提高了分辨率的谱讯号。

2、按权利要求1的方法，其特征是每两个相邻取样点之间的时间间隔都相等。

3、按权利要求1的方法，其特征是对讯号取三个取样点，第一与第二取样点和第二与第三取样点之间的两个时间间隔或长或短。

4、按权利要求3的方法，第二时间间隔比第一时间间隔的范围在1～2之间。

5、按权利要求1、2、3或4的方法，其特征是对电容瞬态谱仪、双脉冲瞬态谱仪、恒温率窗扫描瞬态谱仪、瞬态电荷谱仪、或光激（电激）深能级瞬态谱仪采用权利要求2、3或4的方法。

6、瞬态讯号处理仪，本发明的特征是经放大器〔A₁〕后设有多于两个取样门，〔K₁〕、〔K₂〕……〔K_m〕的取样电路，每个门后面对应串接一个电阻〔R₁〕、〔R₂〕……〔R_m〕，还设有时序脉冲发生器〔T、G〕，它与每个取样门有连线，时序脉冲发生器发出的初始脉冲〔t_o〕是产生样品的偏置脉冲，取样电路后接有积分放大器的讯号处理电路，然后输出谱讯号〔S_（m）〕。

7、按权利要求6的仪器，其特征在于取样电路是取样积分式电路，即取样门〔K ₁〕、〔K ₂ 〕……〔K _m 〕是取样脉冲〔t ₁ 〕〔t ₂ 〕……〔t _m 〕控制的电路开关，或者是取样保持电路，即取样门是由脉冲〔t₁〕、〔t₂〕……〔t_m〕控制的取样保持电路。

8、根据权利要求6或7的仪器，其特征是每取样门后串接的电阻〔R₁〕、〔R₂〕……〔K_m〕这样选取，如果第一取样门串接的电阻是〔R₁〕，则第m个电阻也是〔R₁〕，第n个电阻〔R_n〕的取值R_n＝R₁/a^m_n，a^m_n是二项式展开项的系数。

9、按权利要求6、7或8的仪器，其特征是取样时序脉冲的第奇数个取样门电路均连接一个积分放大器〔A₂〕，第偶数个取样门电路连接到另一个积分放大器〔A₃〕，第一个积分放大器〔A₂〕接入一减法器〔A₄〕的同相端，另一个积分放大器接入减法器〔A₄〕的反相端。

10、根据权利要求6、7或8的仪器，其特征是有两个取样门电路，分别串联的电阻〔R₁〕、〔R₂〕相等，取三个时序控制脉冲，第一和第三个控制脉冲组合后加一个取样门上，第二控制脉冲加在另一取样门上，且第二控制脉冲宽度是第一脉冲宽度的2倍。

11、按权利要求6、7或8的仪器，其特征是有三个取样门电路〔K₁〕、〔K₂〕、〔K₃〕，每个取样门电路包含有取样保持电路，第一和第三个取样门电路接入起减法器作用的积分放大器A₄的一个输入端，第二个取样门电路接入A₄的另一输入端。

12、根据权利要求6、7或8的仪器，其特征是每个取样门电路〔K₁〕、〔K₂〕、…〔K_m〕，都包含有二个取样保持电路，其中第一个取样保持电路实现对讯号的取样，第二个取样保持电路实现对取样讯号的同步相加减。

13、关于半导体的深能级瞬态谱仪，由样品室〔S.C〕、测温控温装置〔T.C〕、记录装置〔X-y.R〕、显示器（O.M）、对样品提供偏压和脉冲电压的装置（P.B.V）和高灵敏的电子测量仪器，以及瞬态讯号处理仪组成。本发明的特征是用按权利要求1到12之一的多点组合率窗SRW（m）瞬态讯号处理仪，作为各种半导体深能级瞬态谱仪的瞬态讯号处理仪与下述之一的电子测量仪器组合成各种高分辨率深能级瞬态谱仪。

与高频高灵敏瞬态电容电桥仪〔C.M〕等组合成高分辨率深能级瞬态（电容）谱仪，其中包括单脉冲、双脉冲、恒电容、恒温率窗扫描等高分辨率深能级瞬态谱仪。

与微电流放大器和光脉冲等组合成高分辨率光激深能级瞬态电流谱仪，以及电脉冲的高分辨率深能级瞬电流谱仪。

与电荷积分器可以组合成高分辨率深能级瞬态电荷谱仪。

或者将以上电学测量仪器与〔SRW（m）〕瞬态讯号处理仪组合成多功能高分辨率深能级瞬态谱仪。