[其他]用于光降解聚乙烯薄膜的光敏催化剂及用途无效

专利信息
申请号: 85100494 申请日: 1985-04-01
公开(公告)号: CN85100494A 公开(公告)日: 1986-08-13
发明(设计)人: 唐松青;徐思羽;黄根龙;唐大森;李良发;王剑良;丁宏勋 申请(专利权)人: 中国科学院上海有机化学研究所
主分类号: C08L23/06 分类号: C08L23/06;C08K5/56;A01G13/02
代理公司: 中国科学院上海有机化学研究所专利办公室 代理人: 邬震中,石家荣
地址: 上海市零陵*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 用于 光降解 聚乙烯 薄膜 光敏 催化剂 用途
【权利要求书】:

1、一类二茂衍生物的光敏催化剂,其特征是分子式为的长链取代基二茂铁衍生物,其中,R′=H或R,R=C7-C11烷基、烯基、羧酸基、羧酸酯基,或COR″,而R″为C6-C10烷基、烯基、羧酸基或羧酸酯基。

2、根据权项1的光敏催化剂,其特征是正辛基二茂铁。

3、根据权项1的光敏催化剂,其特征是γ-二茂铁基丁酸丁酯。

4、根据权项1的光敏催化剂,其特征是γ-二茂铁基丁酸。

5、根据权项1的光敏催化剂,其特征是正辛酰基二茂铁。

6、根据权项1的光敏催化剂,其特征是十一烯酰基二茂铁。

7、根据权项1的分子式为光敏催化剂的制备方法,其中R和R′同前述,其特征是可通过二茂铁的付-克酰基化,克菜门森还原或其他还原及催化酯化反应中的一步或几步反应制得。

8、含有权项1所述的二茂铁衍生物光敏催化剂的可控光降解聚乙烯薄膜,其特征是含有一种或二种以上分子式为长链取代基二茂铁衍生物的光敏催化剂,式中R′=H或R,R=C7-C11烷基、烯基、羧酸基、羧酸酯基、或COR″,而R″为C6-C10烷基、烯基、羧酸基或羧酸酯基。

9、根据权项8的可控光降解聚乙烯薄膜,其特征是含有正辛基二茂铁光敏催化剂。

10、根据权项8的可控光降解聚乙烯薄膜,其特征是含有γ-二茂铁基丁酸丁酯光敏催化剂。

11、根据权项8的可控光降解聚乙烯薄膜,其特征是含有γ-二茂铁基丁酸光敏催化剂。

12、根据权项8的可控光降解聚乙烯薄膜,其特征是含有正辛酰基二茂铁光敏催化剂。

13、根据权项8的可控光降解聚乙烯薄膜,其特征是含有十一烯酰基二茂铁光敏催化剂。

14、权项8、9、10、11、12或13所述的可控光降解聚乙烯薄膜,其特征是含有重量百分数为0.01-0.50%的上述长链取代基二茂铁光敏催化剂。

15、权项8、9、10、11、12或13所述的可控光降解聚乙烯薄膜,其特征是含有重量百分数为0.05-0.30%的上述长链取代基二茂铁光敏催化剂。

16、权项8、9、10、11、12或13所述的可控光降解聚乙烯薄膜,其特征是膜厚度为3-15微米,最佳厚度为5-10微米。

17、权项8、9、10、11、12或13所述的可控光降解聚乙薄膜,其特征是可用作农作物复盖地膜。

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