[其他]制备单晶硅片表面完整层的新途径

权利要求书

1、一种表面具有完整层，体内微缺陷高度弥散的单晶硅片，其特征在于微缺陷是氢沉淀。

2、如权利要求1所述的单晶硅片，其制备方法是将国标一级多晶硅在氢气氛下经过一次区熔，二次成晶，并可采用后冷或常规工艺，其特征在于实施使电阻率由500～1000欧姆。厘米降至5～15欧姆·厘米的中子辐照，中照后的单晶硅经切、磨、抛后，在空气或氮气气氛下进行200～500℃，0.5～2小时低温处理和700～900℃，0.5～4小时的高温热处理。

3、如权利要求1所述的单晶硅片，其制备方法是将国标一级多晶硅在氢气氛下，经过一次区熔，二次成晶，晶体拉断后，不降功率保温5～30分钟的后热处理，其特征在于实施使电阻率由500～1000欧姆·厘米降至5～15欧姆·厘米的中子辐照，切、磨、抛后将硅片在空气或氮气氛下进行200～500℃，0.5～2小时低温处理和700～900℃，0.5～4小时的高温处理。

4、如权利要求2或3所述的方法，其硅片热处理的特征是先低温后高温的二步热处理。

5、如权利要求2所述的方法，其硅片热处理的特征是先高温后低温的二步热处理。

6、如权利要求3所述的方法，其特征在于先实行高温后实行低温的二步热处理。

7、如权利要求5或6所述的方法，其特征在于实行温度为700～1000℃，保温时间为0.5～2小时的第三次热处理。

8、如权利要求2、3、5或6所述的方法，其特征在于低温热处理温度为400～450℃，时间为0.5～1小时，高温热处理温度为800～850℃，时间为1～2小时。

9、如权利要求4所述的方法，其特征在于低温热处理温度为400～450℃，时间为0.5～1小时，高温热处理温度为800～850℃，时间为1～2小时。

10、如权利要求6所述的方法，其特征在于高温热处理温度为850℃，时间为2小时，低温为450℃，时间为30分钟。