[其他]新型陶瓷材料及其制备方法

权利要求书

1、生产一种自行支撑的陶瓷结构的方法，其特征为，此方法以蒸汽相的氧化环境去氧化液相母体金属，包括下列步骤：

a、选择一种母体金属与一种氧化环境的组合方式，使稳定的多晶氧化物作为它们的反应产物而形成，此种多晶氧化物反应产物与熔融的母体金属间具有这样的表面能关系，使得至少在保证1)此多晶氧化物反应产物稳定，与2)此母体金属处于熔融态，这样的温度区间的某一段上，至少有多晶氧化物的某些晶界，它们相对于两种在几何上对等的氧化物-母体金属界面边界的其他构型而言，是不稳定的；

b、将上述母体金属保持于所称的氧化环境及上述温区中谈及的那一段内，使熔融的母体金属，随着反应产物的形成，通过此多晶氧化物的反应产物，并沿着那些相对于所说氧化物-母体金属界面边界的其他构型为不稳定的晶界迁移，这样就使得母体金属通过它的氧化反应产物迁移，并继续将熔融母体金属输送到此多晶氧化反应产物与所说氧化环境二者的界面上，同时生长成一种陶瓷结构，其中主要包含此种氧化物反应产物以及所称母体金属中的至少某些金属成份。

2、根据权利要求1规定的方法，其中所说的母体金属是铝或一种铝合金。

3、根据权利要求1规定的方法，其中所说的氧化气氛为空气。

4、根据权利要求2规定的方法，进一步包括有这样一道工序，即以至少包括两种掺杂物的系统熔铸到指出的铝金属内，对它进行内掺杂。

5、根据权利要求4规定的方法，其中的一种掺杂物为触发剂掺杂物，而另一种掺杂物为加速剂掺杂物。

6、根据权利要求5规定的方法，其中所说的触发剂掺杂物为镁，而所说的加速剂掺杂物为IVB族中的一种元素。

7、根据权利要求6规定的方法，其中所说的IVB族元素至少是选自硅、锡、锗与铅这一组中的一种元素。

8、根据权利要求6规定的方法中，其中所说的镁的含量在约0.3%至10.0%之间，而所说的IVB族元素的含量在约0.5%至约10.0%之间，以上百分比都是相对于铝合金的总重而言。

9、根据权利要求2中规定的方法，其中的处理温度在约1000℃至约1450℃之间。

10、按权利要求1中工艺生产的一种陶瓷制品。

11、一种材料，其特征在于，它由在三维方向上相互连通的多晶氧化物结构组成的材料，其中金属组份按体积计的含量在2%至35%之间，所说氧化物的绝大部分晶界的角度失配小于20°。

12、按权利要求11中所述的一种材料，其中所说的氧化物结构含有一种或多种，主要按相互连通的排列分散于其中的金属，而这种或这些金属按体积计算，约占所说材料的15～35%。

13、根据权利要求11中所述的一种材料，其中所说的氧化物结构含有一种或多种，主要作为互不连通的夹杂物分散于其中的金属，而这种或这些金属，按体积计，不超过所说材料的15%。

14、根据权利要求11或13中所述的一种材料，其中按体积计算，含有10～35%的相互连通的孔隙空间。

15、根据权利要求14中所述的一种材料，其中的孔隙空间是以半径小于1微米的通道连接。

16、根据权利要求13中所述的一种材料，其中的孔隙空间，按体积计算，不超过所说材料的5%。

17、根据权利要求11～16中所述的一种材料，其中所说的相互连通的氧化物由α氧化铝组成。

18、根据权利要求12、13或16中所述的一种材料，其中铝是所说的金属，它以单独的或与其他金属组合的形式存在，而所说的相互连通的氧化物则为α氧化铝。

19、一种材料，其特征是由在三维方向上相互连通的多晶氧化物结构组成的材料，其中含有一种或多种分散的金属夹杂物，它们按体积计约占所说材料的2%至12%，而这些夹杂物基本上是互不连通的。

20、根据权利要求19中所述的一种材料，所含孔隙体积在3%与12%之间，它们有规则地分布在此材料内，至少在该材料的两个表面上大部分是相互连通的。