[发明专利]电沉积抗电侵蚀复合银层的方法无效

专利信息
申请号: 85102279.0 申请日: 1985-04-01
公开(公告)号: CN1010108B 公开(公告)日: 1990-10-24
发明(设计)人: 郭鹤桐;唐志远;王兆勇;姚素薇 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: C25D15/00 分类号: C25D15/00;C25D3/64
代理公司: 天津大学专利代理事务所 代理人: 张宏祥,曲远方
地址: 天津市*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 沉积 侵蚀 复合 方法
【说明书】:

本发明涉及一种电沉积抗电浸蚀复合银层的方法。

目前,一般家用电器及小电流低压器上的电触点均采用纯银,银合金或铜基复银材料制造,这种制造方法耗银量大,而且纯银的硬度低(HV为50),不耐磨,不耐电浸蚀,银合金虽然硬度较高,但电性能稍差,复银触点的制作工艺和设备均较复杂。

自本世纪六十年代以来,复合电沉积技术得到迅速发展,经机检WPI1970-1984年的全部专利,未发现有关电沉积方法制造Ag-La2O3电触点的报导。

本发明的特点是采用复合电沉积的方法在铜或基它金属基体上沉积一层具有抗电浸蚀,耐磨的复合镀银层来制作电触点,这种复合镀银层中弥散有占镀层体积0.1-2%的,具有抗电浸蚀及耐磨性能的氧化镧微粒,粒径在0.5-2%微米之间,这种复合镀层作为电触点的表面层具有优良的电性能,其电阻率及接触电阻与纯锡相近,但耐电浸蚀性、耐磨性及显微硬度均比纯银提高很多,HV达到90-100,100微米厚的这种复合镀银层触点在电压220V,电流5A,功率因数在0.6以上时,开关寿命在5万次以上,与纯银触点相比,采用在铜制触点上电沉积复合镀银层可节约白银50-85%。有明显的社会效益和经济效益。

本发明的复合镀银工艺条件如下:

氯化银35-40克/升

氰化钾65-80克/升

氧化镧微粒(粒径<5微米)0.1-50克/升

镀液温度15-30℃

阴极电流密度0.1-1安/分米2

阳极为纯限板,镀液靠机械搅拌或镀液循环使微粒充分悬浮。

采用本发明的复合镀银工艺,根据需要可获得厚度10-200微米的复合银镀层。

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