[其他]用反应气体淀积的材料制作半导体器件的方法及其设备

权利要求书

1、一种制作半导体器件的方法，在该方法中，一些半导体材料基片被放在一反应管中加热，该反应管被置于一炉管之中并具有一开有多孔的管壁，用以在基片上沉积一材料层的反应气体通过所说的开孔进入反应管中，该反应气体进入开孔的过程是通过在炉管中沿反应管的管壁的外侧产生一个空气流动来完成的，此后，反应后的剩余气体通过反应管的一个开口端排放出去。

其特征在于，反应气流中只有一部分经反应管管壁上的开孔通入反应管达到基片上，反应气流的余下部分，即没有进入反应管的部分直接从炉管和反应管中间的空间排走。

2、一实现权利要求1中的方法的设备，包括：

一反应管（11），位于炉管（10）的里面，在反应管（11）内一些放于基片载体（23）上的半导体材料基片（1）可借助于一置于炉管（10）外的加热元件（12）加热;该反应管（11）具有一带有开孔（14）的管壁（13），用以让反应气体（17）流入反应管;该反应管有一用于排出剩余反应气体（19）的开口端（18），和一个与开口端（18）相对的，在工作期间对着经炉管（10）通入的反应气体（15）的方向的封闭端（25），其特征在于，该反应管（11）进一步地具有一托架（21），借助于该托架（21），该反应管（10）支撑在炉管（10）的内壁之上，以致反应管（11）与炉管（10）的内壁基本上是分开的。

3、根据权利要求2所要求的设备，其特征是：反应管（11）是可拆卸地安置在炉管内。

4、根据权利要求3所要求的设备，其特征是：用于容纳基片的一个基片载体（23）是可拆卸地安置在反应管（11）之内。

5、根据权利要求4的设备，其特征在于：基片载体（23）具有一封闭底面（22），该底面可面对着反应管（11）的管壁上的开孔（14）放置。

6、根据权利要求5的设备，其特征在于，管壁上的开孔（14）基本上安排在沿反应管（11）的纵方向延伸的一直线上，开孔的大小和位置是这样安排的，即从反应管（11）的纵方向上看，能把温度调节到一致，使全部基片上的淀积层的厚度是相等的。

7、根据权利要求2所要求的设备，其特征是：在反应管的内侧管壁上开孔的前面，放置一个致密的挡板。

8、根据权利要求7所要求的设备，其特征是：致密的挡板用基片载体的封闭侧代替。