[其他]复合腔波导互补激光器

权利要求书

1、一种由在半导体材料衬底上外延生长的多层异质结构成的半导体激光器，其中有一层或多层形成有源区，再加上两端面形成反射镜构成谐振腔，激射条件下，在有源区内载流子复合产生辐射发射，有源区是折射率导引区段和增益导引区组成的复合腔结构，本发明的特征是折射率导引区段中有一段是压缩形双异质结构，增益导引区段中有一段是氧化物隔离条形段。

2、一种按照权利要求1所述的（复合腔波导互补）激光器，其特征在于用压缩形双异质结构和氧化物条形两种结构组成复合腔，是两段式或多段式结构。

3、一种按照权利要求2所述的激光器，其特征在于对两沟间距为30～40μm的压缩形结构，最佳腔长比例为压缩形段占整个腔长的1/3～1/4。

4、一种按照权利要求2所述激光器的制造方法是，把原来在衬底上光刻腐蚀成通长双沟槽改为光刻腐蚀成分段沟槽，采用压缩形结构外延工艺一次外延完成生长。

5、一种按照权利要求4所述的激光器，其特征在于最佳外延厚度和掺杂条件为，第一层AlxG_al-xAs层厚2μm左右，掺Sn（lgGa熔体掺Sn20～25mg）浓度为1～2×10¹⁷cm^-3，第二层有源区不掺杂，第三层AlxG_al-xAs层厚1～1.5μm，掺G_e（lgGa熔体掺Ge3.5～5mg）浓度为1～2×17¹⁷cm^-3，第四层GaAs层厚度为0.2～0.5μm，掺Ge（lgGa熔体掺Ge0.1～0.3mg）杂质浓度为1～2×10¹⁷cm^-3。

6、一种按照权利要求5所述的激光器，其特征在于有源区生长为AlyG_al-yAs材料，y值可在0.05～0.3之间变化，上下限制层的Al含量x值也适当提高调到0.4～0.7。

7、一种按照权利要求5、6所述的激光器，其特征在于在下限制层和有源区之间生长一层AlzG_al-zAs波导层，波导层为n型，Al含量z值比有源层Al量y值高出0.1～0.2。

8、一种按照权利要求1所述的（复合腔波导互补）激光器，其特征在于由压缩形、氧化物条形、梯形衬底三种结构结合构成复合腔，是三段式或三段以上的多段式。

9、一种按照权利要求1所述的激光器，其特征在于可以按照公式

和具体工艺条件估算出折射率导引段和增益导引段腔长的最佳比例，以保持良好的光功率曲线线性同时又具有最大的单模输出功率。

10、一种按照权利要求1所述的激光器，其特征在于用InP材料制造成1.1～1.6μm波长的激光器及用其它材料制造的0.5～0.74μm和1.6～3μm波长的激光器。