[其他]利用封闭边界产生静电四极场的结构无效
申请号: | 85102774 | 申请日: | 1985-04-01 |
公开(公告)号: | CN85102774B | 公开(公告)日: | 1987-11-04 |
发明(设计)人: | 华中一;王阳;范承善;谷超豪 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H01J49/42 | 分类号: | H01J49/42;G01N27/62 |
代理公司: | 上海专利事务所 | 代理人: | 须一平 |
地址: | 上海市邯郸*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 封闭 边界 产生 静电 四极场 结构 | ||
1、一种产生静电四极场的结构,其中有四个金属电极,其特征是该结构的边界为封闭的,边界由均匀厚度或厚度呈连续变化的高阻材料及电极构成,边界上的电位随位置作连续变化。
2、根据权利要求1所述的静电四极场结构,其特征是边界材料截面的内表面为圆形,边界材料截面的厚度呈连续变化,边界材料的外表面为四个象限对称,上述圆形内表面上的电位随位置按cos2θ的规律作连续变化。
3、根据权利要求1所述的静电四极场结构,其特征是边界为正方形,边界由均匀厚度的高阻材料或薄膜构成,上述正方形的四条边上的电位分别随位置作线性变化。
4、根据权利要求1所述的静电四极场结构,其特征是边界为矩形,上述边界由均匀厚度的高阻材料或薄膜构成,上述矩形的四条边上的电位分别随位置作线性变化,在垂直于Z轴的X、Y平面内,上述结构产生的等电位线为非正交的双曲线族。
5、根据权利要求3所述的静电四极场结构,其特征是边界为正方形,边界由直角导体板上放置一块涂有均匀厚度的高阻薄膜的直角绝缘体组成,上述正方形边界上只有一个电极,电极设在上述薄膜的弯角处。
6、根据权利要求3所述的边界为正方形的静电四极场结构,其特征是由一个以上上述正方形边界结构组成的阵列式静电四极场。
7、根据权利要求6所述的阵列式静电四极场,其特征是用高氧化铝瓷或微晶玻璃作本体,构成按某种图形排列的正方形,用蒸发或溅射方法涂敷一层均匀厚度的高阻薄膜,再分别加上电极,构成阵列式静电四极场。
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