[发明专利]微型化可控硅电路及装置无效
申请号: | 85102904.3 | 申请日: | 1985-04-19 |
公开(公告)号: | CN1007860B | 公开(公告)日: | 1990-05-02 |
发明(设计)人: | 刘湘 | 申请(专利权)人: | 刘湘 |
主分类号: | H02M3/155 | 分类号: | H02M3/155;H02M5/257;H02P5/16;H02P5/402 |
代理公司: | 辽宁专利事务所 | 代理人: | 杨英利 |
地址: | 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微型 可控硅 电路 装置 | ||
本发明属于变流技术领域。
本发明的目的是为可控硅装置的微型化解决下述技术问题。
现代可控硅技术已使工业和家用电器的电控装置的体积做的比较小,但要实现装置的微型化还存在一些技术问题。
传统的可以做得比较小的电路方案是图1所示的整流桥可控硅主回路方案,电源经整流桥可控硅到负载;从整流桥取出的同步电源经整形器到触发器,产生触发脉冲触发可控硅;控制电路电源经整流滤波器提供,此方案的缺点在于整形器要消耗相当的电能;本发明设想了一个如图2所示可以取代整流滤波器的贮能分离器。这个贮能分离器可以先将消耗在整形器中的电能贮存起来,再分别供给触发器和控制电路。图2中虚线框标出了本发明的独到之处。
图3是这一发明的实施例;图中由D1-4构成了整流桥。电源经整流桥整流后,经可控硅Kp到负载构成主回路。同步电源由接在整流桥输出端的R1降压取得。贮能分离器由一只以其基极b为同步电源和同步信号公共输入端的三极管BG1和接在该管集电极C上用于贮能和滤波的电容C2构成,在接通电源的初期,同步电源先经BG1的b、c极整流,对C2充电,在A、B两端也就是C2两端建立起电压后,整形器DW开始整形,这时BG1由整流工作状态过渡到射极跟随器;在经整形的同步信号控制下,再将存贮到C2中的电能经C、e极供给BG2、C1、R3构成的触发器和BG3调节器。此时在e极输出的是经DW整形的同步信号,接触发器和调节器。在C极输出的是经DW稳压b、c极整流C2滤波的稳压电源,提供控制电路电源。由此可以看出传统电路中消耗在DW中的大部分电能由于C2两端电压不能突变都被存贮到C2中再分别供给触发电路和控制电路。所以降压电阻R1的内阻可以取得很大,使电路功耗较传统电路可降低5~10倍。为装置的微型化降低温升创造了条件,该电路在设置了接输入信号、控制电路和公共参考点的插口后即成为光电、温度、压力、延时、开关、恒流等多种控制执行的可控硅装置。
上述整流桥可控硅主回路方案的不足之处在于,在输出带电感性负载时,关断不可靠,防干扰能力差。采用半控桥可控硅主电路方案可以解决这一问题。传统的半控桥方案如图四所示,电源经半控桥可控硅主回路到负载,同步电源由同步变压器降压经整流器整流取得。此种供电方式,线路复杂,体积太大,成本高。本发明提出了一个如图5所示的供电方案,图中虚线框标出的是本电路发明的独到之处。设置了一个同步半桥,这个同步半桥与控制、触发电路、负载、及半控桥可控硅主回路中的二极管半桥构成同步电源回路。这个同步半桥回路可以用两只二极管或两只电阻构成。半桥的两端接电源。其公共接点为同步电源输出端。采用二极管半桥需设置一只降压电阻。见图7中D1、D2、R1和R12、R13。
图6将上述两个电路发明进行了组合,见虚线框,可得到更好的微型化效果。图7给出了该发明的电路实施例。电源经KP1-2、D3-4组成的半控制桥到负载。同步电源是由R12、R13半桥或D1、D2半桥和R1经DW、负载、D3和D14半桥构成的回路取得,贮能分离器BG1、C2将电能存贮后由b、c极输出稳压电源接控制电路,由e极输出同步信号接触发电路BG3、C1、R3和调节器BG2。为简化电路,主回路两只Kp的阴极和控制级均有一个公共点。电路按虚线联接,置直流输出端短接,将主回路、电源与负载串联接线,以控制交流负载。设置了接控制电路、输入信号和公共参考点的插口,成为调速、定转矩等多种控制执行的可控硅装置。
图8是一个用于恒功率调速的可控硅装置的发明。
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