[发明专利]光电池

权利要求书

1、一种把光能变换为电能的光生伏特电池，具有透光性的基片，在上述基片上的透光性的第1电极层，在上述第1电极层上的第1导电型的第1半导体层、在上述第1半导体层上的第1导电型的第2半导体层、在上述第2半导体层上的第2导电型的第3半导体层、在上述第3半导体层上的第3导电型的第4半导体层，以及在上述第4半导体层上的第2电极层，本发明的特征是，上述第1半导体层的厚度t₁为25A＜t₁＜300A，而上述第2半导体层的厚度t₂为1000A＜t₂＜1000A;在上述第1及第2半导体层生成多数载流子的激活电能分别是在0.3eV以下及0.3eV以上。

2、根据权利要求1所述的光生伏特电池，其特征在于，上述第1及第2半导体层的光能带间隙大于上述第3半导体层的光能带间隙，而上述第1半导体层的光能带间隙则大于上述第2半导体层的光能带间隙。

3、根据权利要求2所述的光生伏特电池，其特征在于，上述第1、第2及第3导电型分别为P、I及N型，上述第1半导体层是由微晶硅或者铂族元素的氧化物组成的。

4、根据权利要求2所述的光生伏特电池，其特征在于，上述第3半导体层是I型的非晶硅。

5、根据权利要求2所述的光生伏特电池，其特征在于，上述第2半导体层在照射强度为100mW/cm²的赤道太阳光谱（AM-1）的照射下，具有10^-5Ω^-1cm^-1以上的光电导率。

6、根据权利要求3所述的光生伏特电池，其特征在于，上述微晶硅层是用溅射方法形成的。

7、根据权利要求3所述的光生伏特电池，其特征在于，上述氧化物是氧化铱。

8、根据权利要求7所述的光生伏特电池，其特征在于，上述第2半导体层是非晶碳化硅。

9、根据权利要求8所述的光生伏特电池，其特征在于，上述非晶碳化硅层的含碳量是从接近上述第1半导体层的一侧向接近上述第2半导体层的一侧递减，而光能带间隙则随着含碳量的减少而减小。

10、根据权利要求1所述的光生伏特电池，其特征在于，上述第1半导体层的厚度较好为30-200A。

11、根据权利要求1所述的光生伏特电池，其特征在于，上述第1半导体层的厚度最好为40-150A。

12、根据权利要求1所述的光生伏特电池，其特征在于，上述第2半导体层的厚度较好为300-700A。

13、根据权利要求1所述的光生伏特电池，其特征在于，上述第2半导体层的厚度最好取为40-600A。

14、一种把光能变换为电能的光生伏特电池，具有透光性的基片，在上述基片上的透光性的第1电极层，在上述第1电极层上的第1导电型的第1半导体层、在上述第1半导体层上的第1导电型的第2半导体层、在上述第2半导体层上的第2导电型的第3半导体层、在上述第3半导体层上的第3导电型的第4半导体层，以及在上述第4半导体层上的第2电极层，本发明的特征是，上述第1、第2及第3的导电型分别为P、I及N型，上述第1半导体层则由微晶硅或者铂族元素的氧化物组成。