[其他]光电池

权利要求书

1、光电池，前述电池包括：

透光性的基板、

前述基板上的透光性的第1电极层、

备有前述第1电极层上的第1导电型的第1半导体层、前述第1半导体层上有厚约25-300和可生成大量载流子的0.3ev以下的活化能源。

前述电池还备有前述第1半导体层上的该导电型的第2半导体层，前述第2半导体层上有厚约100-1000的可生成大量载流子的0.3ev以上的活化能源、

该电池还包括前述第2的半导体层上的第2导电型的第3半导体层、

前述第3半导体层上第3导电型的第4半导体层、

前述第4的半导体层上的第2的电极层。

2、前述第1、第2及第3项的导电型分别为P、I、N型（申请范围第1项记载的光电池）。

3、前述第3项的半导体层是I型的非晶硅（专利申请范围第2项记载的光电池）。

4、前述第2项的半导体层是对于赤道上的光谱（AM-1）照射强度100MW/CM²的照射，拥有10^-5Ω^-1cm^-1以上的光导电率的非晶半导体（专利申请范围第3项记载的光电池）。

5、前述第1项的半导体层含P型的微晶硅（专利申请范围第4项记载的光电池）。

6、前述微晶硅层是由溅射形成的（专利申请范围第5项记载的光电池）。

7、前述第1项的半导体层是白银族的氧化物第3项的光电池）。

8、前记氧化物为氧化铱（专利申请范围第7项记载的光电池）。

9、前述第2项的半导体层是非晶硅碳精（专利申请范围第8项记载的光电池）。

10、前述非晶硅碳精层的含炭量从接近第1半导体层的一侧向接近第2半导体层的一侧减少，按照炭元素含量的减少，光学的光带间隙减少（专利申请范围第9项记载的光电池）。

11、理想的第1项半导体层的厚度为30-200（专利申请范围第1项记载的光电池）。

12、前述第1项半导体层的最佳厚度为40-150A（专利申请范围第1项记载的光电池）。

13、前述第2项半导体层的理想厚度为300-700A（专利申请第1项记载的光电池）。

14、前述第2项半导体层最佳厚度为400-600A（专利申请第1项记载的光电池）。

15、前述的第1、第2、第3项半导体分别为N、I、及P型（专利申请范围第1项记载的光电池）。

16、前述第3项的半导体是I型的非晶硅（专利申请范围第15项记载的光电池）。

17、前述第1项半导体层含N型的微结晶硅（专利申请范围第16项记载的光电池）。

18、前述微结晶硅层通过溅射形成（专利申请第17项记载的光电池）。