[其他]用于离子镀膜的冷U阴极装置无效
| 申请号： | 85103651 | 申请日： | 1985-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN85103651A | 公开（公告）日： | 1987-04-15 |
| 发明（设计）人： | 王殿儒;田大准 | 申请（专利权）人： | 中华钛金研究所 |
| 主分类号： | C23C14/28 | 分类号： | C23C14/28 |
| 代理公司： | 北京市专利事务所 | 代理人： | 王敬智 |
| 地址： | 北京市东皇*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 离子 镀膜 阴极 装置 | ||
【权利要求书】：
1、一种冷U阴极装置，其特征在于，采用底部进气，附有阴极内衬，装有反射衬套的冷空腔阴极，并具有长寿命、低气压、大电流，可偏转的电弧放电，致使坩埚阳极中的材料蒸发和离化，从而，可在负偏压作用下，在被镀工件表面上，形成多种具有优异特性的表面膜。
2、根据权利要求1所说的装置，其特征在于阴极腔的底部具有特殊的进气孔。
3、根据权利要求1所说的装置，其特征在于，阴极腔出口，装有耐高温的自加热衬套。
4、根据权利要求1所说的装置，其特征在于，装有可调节的偏转磁场，使电弧偏转角度从零度到270度。
5、根据权利要求1所说的装置，其特征在于，启弧电压600-1500伏，电流5-25安，真空度5×10-1-1×10-3托;燃弧电压40-60伏，电流50-500安，镀膜室真空度1×10-2-5×10-4托。
6、根据权利要求1所说的装置，其特征在于，采用变壁厚的无氧铜阴极内衬。
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