[其他]绝缘层上多晶硅的激光加热再结晶方法无效
| 申请号： | 85103942 | 申请日： | 1985-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN85103942B | 公开（公告）日： | 1988-03-16 |
| 发明（设计）人： | 林成鲁;邹世昌;沈宗雍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海冶金所 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/428 |
| 代理公司： | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人： | 季良赳 |
| 地址： | 上海市长宁*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘 多晶 激光 加热 再结晶 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种激光加热再结晶制备SOI材料的方法，它使用连续氩离子激光束扫描加热位于SiO2夹层中的多晶硅使之再结晶，其特征在于：在激光加热之前形成单晶硅-热氧化SiO2-多晶硅-化学气相淀积SiO2夹层结构，其中热氧化SiO2，多晶硅及化学气相淀积SiO2层的厚度分别为：0.1～1μm，0.5～0.8μm及0.5～1.5μm。
2、根据权利要求1所述的方法，其特征是，所采用的氩离子激光器功率为6-10W，光斑直径40-80μm，样品置于x、y两维自动扫描的工作台上，x方向扫描速度2-10cm/秒，y方向每次步进使相邻的扫描线重迭50%，用一般加热方法使整个样品在再结晶过程中保持在250-550℃，激光辐照加热时局部多晶Si层的温度为1415-1600℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
