[其他]半导体工艺

权利要求书

1、供制造半导体器件用的质量传递工艺，其特征是在一未密封的坩埚(16、17)内放置要由质量传递生长材料的半导体晶片(15)，生长材料的盖片(18)和晶状卤化碱(20)，然后将未密封的坩埚(16、17)于一温度下，在还原气体中加热，其时间由所需求的生长量而定。

2、如权项1所规定的质量传递工艺，其特征在于要生长的材料是I_nP。

3、如权项1或权项2所规定的质量传递工艺，其特征是在于卤化碱（20）是碘化碱。

4、如以上任何一个权项所规定的一质量传递工艺，其特征是在于还原气体是氢气。

5、如以上任何一个权项所规定的质量传递工艺，其特征在于坩埚（16、17）是石墨做的。

6、如权项2所规定的质量传递工艺，其特征在于坩埚（16、17）是石墨做的，还原气体是氢气，而且在坩埚（16、17）里放置一定量的金属铟（21），用以控制晶片（15）预定范围内材料的生长与晶片（15）其他范围内腐蚀之间的平衡。

7、如权项3或权项6所规定的质量传递工艺，其特征在于晶状卤化碱（20）是KI、RbI、或CsI。

8、如权项2所规定的质量传递工艺和用InP/InGaAsP系统制造质量传递埋层异质结构激光器所用的质量传递工艺，其特征在于卤化碱（20）是KI，坩埚（16、17）是石墨做的，而且几乎是但不完全是密封的，以及还原气体是氢气。

9、如权项8所规定的质量传递工艺，其特征在于坩埚（16、17）内放置一定量的金属铟，从而控制晶片（15）预定范围内I_nP的生长与晶片（15）其它范围内腐蚀之间的平衡，并且在大约660℃的温度下，加热坩埚（16、17）。