[其他]低压电可编程序只读存储器

权利要求书

1、一在硅基底上形成的电可编程序和电可清除只读存储器器件，包括

在上述基底上形成源区和漏区，在上述源区和漏区之间确定沟道区;

一浮置栅完全由绝缘体包围，并安置在上述沟道区之上，所述浮置栅由一基本同样厚的绝缘区使其与所述沟道相隔离;

一控制栅与上述浮置栅绝缘，且安置在上述浮置栅之上;

在所述源区与所述硅基底间形成的结具有较在所述漏区与所述硅基底间形成的结具有更平缓的掺杂浓度梯度;

所述源区在所述浮置栅下面延伸，并与所述浮置栅由所述绝缘区相互绝缘，从而在所述浮置栅与所述源区间形成一增大电容的区域，所述增大电容较在所述浮置栅与所述漏区间的电容要大;

所述浮置栅由来自沟道区的热电子沟道注入充电，并通过将所述浮置栅的电子由电子隧道效应通过在所述增大电容的区域处的绝缘区从所述浮置栅移入所述硅基底，使所述浮置栅放电;

从而得到高密度的器件。

2、权利要求1所述的器件，其中所述绝缘区是二氧化硅，其厚度约为135A。

3、权利要求1所述的器件，还包括一个与上述源区相通的附加基底区，上述浮置栅延伸到上述附加区之上，并且由一第二层绝缘层与上述附加区相互绝缘，所述第二绝缘层比隔离浮置栅和沟道区的所述绝缘层薄。

4、权利要求3中所述的器件，其中把所述浮置栅和所述沟道区隔开的所绝缘区是厚度约为200A的二氧化硅层，而把所述附加区和所述浮置栅隔开所述第二绝缘层是厚度约100A的二氧化硅层。

5、权利要求1中所述的器件，其中所述漏区是由第一和第二掺杂物形成的，而所述第一掺杂物与所述基底是相反电导型的，而所述第二掺杂物是引入所述漏区的，所述第二掺杂物是与所述基底相同的电导型的，所述第一、第二掺杂物确定所述精确定位的、较薄的漏区。

6、权利要求5所述的器件，其中所述第二掺杂物在所述基底内扩散得比所述第一掺杂物更快。

7、权利要求6所述的器件，其中所述第一掺杂物包括砷，所述第二掺杂物包括硼。

8、权利要求7所述的器件，其中所述第一和第二掺杂物是为了形成上述源区，并且还用第三掺杂物形成上述源区。

9、权利要求8所述的器件，其中所述第三掺杂物包括磷。

10、一在一第一导电型硅基底的一第一基底区域和一第二基底区域上形成的电可编程序且电可清除的只读存储器器件，包括：

一设置在所述第一和第二基底区域的场氧化区域，

一完全由绝缘体包围且设置在所述第一和第二基底区域之上的浮置栅，所述浮置栅由一具有第一厚度的绝缘体将其与所述第一基底区域相绝缘，由一具有较所述第一厚度为薄的第二厚度的绝缘体将其与所述第二基底区域相绝缘。

一安置在所述浮置栅之上并与之绝缘的控制栅，所述控制栅延伸出所述第一和第二基底区域，

一第二导电型的源区和漏区通常被安置在所述第一基底区域，所述源区和漏区限定一沟道区，所述沟道区与所述浮置栅由所述具有所述第一厚度的绝缘体相互绝缘，所述源区与所述漏区相比具有较平缓的掺杂浓度梯度，

一第二导电型的附加基底区域，由所述源区延伸至所述第二基底区域，所述附加基底区域与所述浮置栅由所述具有所述第二厚度的绝缘体相绝缘，