[发明专利]半导体激光器

权利要求书

1、本半导体激光器由第一导电型的衬底和在衬底上的层结构的半导体材料组成的，所说的层结构至少依次有一个第一导电型的第一无源层，一个第二相反导电型的第二无源层，一个位于第一、第二无源层之间的具有pn结的有源层和一个限流阻断层，pn结在足够高的正向电流作用下，在位于共振腔内的有源层的条形区内产生相干电磁辐射，第一第二无源层对产生的电磁辐射的折射率较低，带隙比有源层大，限流阻断层在有源层面上有一个条形断路;第二无源层及衬底与导线电气地相连;本发明的特点在于，一个晶体结构被扰乱了的高阻区延伸在条形有源区4A两边的外上方。从对着衬底的半导体本体这边，至少贯穿了阻挡层的厚度。

2、如权利要求1中所述的半导体激光器，其特征在于晶体结构被打乱的这个高阻区是一个用质子轰击的方法得到的区域。

3、如权利要求1或2中所说的半导体激光器的特点在于阻断层是一个半导体层，它与毗邻的半导体材料构成一个pn结。

4、如权利要求3中所述的半导体激光器，其特征在于这个条形有源区受到对产生的辐射有较低的折射率和比有源区大的带隙的第二导电型边界区的横向的限制。

5、如权利要求4所述的半导体激光器，其特征在于这个条形有源区的位置由两个槽确定。这两个槽从第二无源层的上面的边起，通过有源层后延伸到第一无源层，并至少部分地被上面所说的边界区及在它上面形成的第一导电型阻断层占据。