[其他]金属—氧化物—半导体后部工艺

权利要求书

1、在半导体本体上形成具有经刻图、经合金的导电层的工艺，包括在所说半导体本体上淀积金属导电层，其特征在于该工艺还由下列步骤组成：

A.在所说导电层上利用低温旋涂法淀积一层含有染料的玻璃层;

B.任何光刻所说导电层图形和温度超过200℃的工艺都要在所说低温旋涂玻璃层的所说淀积之后进行。

2、根据权利要求1的规定的工艺，其特征在于所说导电层为铝层。

3、根据权利要求1所规定的工艺，其特征在于所说旋涂玻璃层厚度约为800-5000埃。

4、在硅衬底上形成具有经刻图、经合金的导电层的工艺，其特征在于工艺由下列步骤组成：

在所说硅衬底上淀积一层金属导电层;

在所说导电层上利用旋涂形成一层玻璃层，所说旋涂玻璃层含有染料;

利用光刻技术刻出所说导电层的图形，而且任何光刻所说导电层图形和温度超过200℃的工艺都要在所说低温旋涂玻璃层的所说淀积之后进行;

将所说硅衬底加热到足以使所说导电层和所说硅衬底成合金的温度。

5、根据权利要求4所规定的工艺，其特征在于所说导电层是铝层。

6、根据权利要求5所规定的工艺，其特征在于所说旋涂玻璃层厚约800至5000埃。

7、根据权利要求6所规定的工艺，其特征在于所说硅衬底被加热到至少约200℃。