[发明专利]带有超硬沉积层的器件无效
| 申请号： | 85104959.1 | 申请日： | 1985-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN1014805B | 公开（公告）日： | 1991-11-20 |
| 发明（设计）人： | 赫伯特·沙克纳;比诺·拉克思;克拉斯·格兰·斯特扎姆伯格;安德斯·格斯塔·思林;海因茨·蒂普门 | 申请（专利权）人： | 桑特拉德有限公司 |
| 主分类号： | C23C28/00 | 分类号： | C23C28/00;C23C14/14;C23C16/26 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 吴大建,全菁 |
| 地址： | 瑞士CH-6*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 带有 沉积 器件 | ||
【权利要求书】：
1、复合器件体，包括选自金属，金属合金，金属结合的硬质金属复合体，陶瓷或其混合物的材料制成的芯部，该芯部至少部分用一沉积层覆盖，其中包括一层或多层CVD沉积的多晶金刚石层，其特征在于沉积层用不同于衬底材料而选自贵金属和金属钛的材料层与衬底材料结合。
2、权利要求1的复合器件体，其特征在于沉积层包括至少一层金刚石层之间的贵金属中间层。
3、权利要求1的复合器件体，其特征在于沉积层包括至少一层金刚石层之间的可形成稳定碳化物的贵金属中间层，优选为钛。
4、上述权利要求中任一项的复合器件体，其特征在于沉积层总厚度0.1-500μm。
5、权利要求4的复合器件体，其中所说厚度0.5-100μm。
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