[其他]用于喷流加速式离子投射成像系统的打印头无效
申请号: | 85105105 | 申请日: | 1985-07-04 |
公开(公告)号: | CN85105105A | 公开(公告)日: | 1986-12-31 |
发明(设计)人: | 盛千屯;汤普森 | 申请(专利权)人: | 施乐公司 |
主分类号: | G03G15/044 | 分类号: | G03G15/044;G03G15/02 |
代理公司: | 中国专利代理有限公司 | 代理人: | 李先春 |
地址: | 美国纽约*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 喷流 加速 离子 投射 成像 系统 打印头 | ||
1、一种将静电荷按照影象图案移至电荷的接收板表面的喷流加速式电印制设备,包括传输流体源以及具有流体的上游为离子产生区域、下游为离子调制区域的工作室,所述工作室包括引入装置和引出装置,引入装置从所述流体源中接收传输流体,设置所述上游离子产生区和位于所述离子调制区离子调制装置,引出装置使传输流体离开所述工作室,所述离子调制装置的特征在于包括:
电荷贮存设备,安装在所述离子调制区域内所述传输流体经过的通道附近,用来控制离开所述工作室的离子的通过,所述电荷贮存装置又分为若干部分;
充电设备,用来将与所述影象图案的所述对应部分充至预定的电压;
有顺序、有选择地将给定区域的所述存贮电荷设备耦合到所述充电设备上的装置,将未选中的部分脱离开所述充电设备的装置,从而在耦合期间所述存贮电荷设备在给定区域被充至预定电位,在隔离期间则保持预定电位不变,以控制离开所述工作室的离子流过;
所述电荷贮存设备、所述充电设备和所述顺序选择耦合装置被集成做在同一块衬底上。
2、根据权利要求1所定义的喷流加速式电印设备,其特征在于所述电荷存贮装置包括一个可导电的电极阵列。
3、根据权利要求1所定义的喷流加速式电印设备,其特征在于所述电荷存贮装置包括一个电容器阵列,所述电容器阵列横跨于所述引出通道装置上,所述引出通道装置包括位于其一侧的一个导电电极阵列。
4、根据权利要求2所定义的喷流加速式电印设备,其特征在于所述顺序选择耦合装置,包括一个开关阵列,所述开关阵列与所述电极阵列数量相等并与所述电极阵列馈联,还包括若干地址总线,所述地址总线与所述开关阵列馈联,使所述开关阵列和所述电极阵列分为所述若干部分。
5、根据权利要求2所定义的喷流加速式电印设备,其特征在于包括N个电极,所述电极分为P组,每组有q个电极,所述充电装置包括q根数据总线,所述顺序选择耦合装置包括N个开关,所述开关分为P组,每组q个开关,其中每个开关都与一个电极相连,还包括P根地址总线,每根都与电极相连并且控制一个开关组。
6、根据权利要求5定义的喷流加速式电印设备,其特征在于所述开关是一些非晶硅薄膜晶体管。
7、根据权利要求6所定义的喷流加速式电印设备,其特征在于所述地址总线与所述薄膜晶体管的栅极相连,所述电极与所述数据总线分别与所述薄膜晶体管的源极与漏极连接。
8、根据权利要求1所定义的喷流加速式电印设备,其特征在于所述顺序选择耦合装置包括薄膜有源器件。
9、根据权利要求8所定义的喷流加速式电印设备,其特征在于所述薄膜有源器件包括一些非晶硅晶体管。
10、根据权利要求1所定义的喷流加速式电印设备,其特征在于所述顺序选择耦合装置包括若干非晶硅薄膜晶体管开关。
11、利用分为几组的电荷贮存元件阵列,将静电荷按照影象图案置于电荷接收板表面的印制过程,其特征在于所述过程是时间复用的,每一行的扫描时间包括下列步骤:
对作为所述行扫描时间之一部分的第一段时间里,同时有顺序地对所述电极阵列的一个组寻址;
在所述第一段时间内将预定电压按照影象图案顺序地加到所述地址部分的所述存贮电荷元件上;
对作为所述行扫描时间之余下部分的第二段时间内,通过电荷贮存元件来控制静电荷移至电荷接收板表面;
对随后各行重复以上步骤顺序。
12、根据权利要求11所定义的印制过程,其特征在于所述行扫描时间指的是从对某一区域寻址到下一次再对此区域寻址之间的时间间隔。
13、根据权利要求12所定义的印制过程,其特征在于所述第二段时间远大于所述第一段时间。
14、根据权利要求11所定义的印制过程,其特征在于所述行扫描时间包括对所述阵列中每一个存贮电荷元件寻址所用的时间。
15、根据权利要求11所定义的印制过程,其特征在于还包括下列步骤:
在工作室中产生大量的静电荷;
传输这些静电荷,并使这些静电荷通过和排出工作室;
使这些静电荷从电荷存贮元件的行阵列附近通过;
控制这些静电荷移动的步骤包括:或者允许这些静电负排出工作室并沉积在电荷接收板表面,或者禁止这些静电荷排出工作室。
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