[其他]可控制接通的硅可控整流器

权利要求书

1、在多级放大硅可控整流器中，包括半导体片、第一发射极电极、内级和外级发射极电极和电流控制电阻区；

上述半导体片包括一个第一发射极层，在上述的第一发射极层上面的第一基极层、在上述第一基极层上的第二基极层、在上述第二基极层上的内级发射极层和在上述第二基极层上面的外级发射极层，同时它接近从上述内级发射极层向外的方向上并处在该方向上。

在上述第一发射极层下面的上述第一发射极电极；

在第一部分中的上述内级发射极电极，它重叠在上述内级发射极层上，同时在第二部分中，处在上述第一部分向外的位置上，它重叠在上述第二基极层上；

重叠在上述外级发射级层上的上述的外级发射极电极。

上述电流控制电阻区，由它构成上述第二基极区的一部分，第二基极区限定在由上述内级发射极电极的外沿所定义的内侧，并向外延伸，但与上述外级发射极层隔开。

具有未调剂电阻的上述电流控制电阻区，选择电阻值时，应将放大硅可控整流器前面每级内的接通电流限制到安全值上。

上述多级放大硅可控整流器的改进应与上述技术结合，以在上述硅可控整流器接通期间，减小电流控制电阻区调制，包括：

上述的内级发射极电极的外沿从下述任一种边沿向外延伸一个预先确定的距离：

上述第一级发射极层的内沿，

在上述内级发射极层下面的接通等离子区的外沿，

上述第一级发射极层的外沿。

该距离至少大于一个上述的半导体片的厚度和在上述第一基极层内两个双极扩散长度之和。

2、按照权利要求1的发明所说的预先确定的距离，上述内级发射极电极的外沿向外延伸一个距离，该距离至小大于上述两个半导体片厚度和上述第一基极区内的二个双极扩散长度之和。

3、按照权利要求1的发明所说的预先确定的距离，上述内级发射极电极的边沿向外延伸一个距离，该距离只少大于上述两个半导体片厚度和上述第一基极区的三个双极扩散长度之和。

4、按照权利要求1的发明所说的预先确定的距离，上述内级发射极电极的外沿向外延伸一个距离，该距离至少大于上述半导体片的三个厚度和上述第一基极区的两个双极扩散长度之和。

5、按照权利要求1的发明所说的预先确定的距离，上述内级发射极电极的外沿向外延伸一个距离至少大于上述三个半导体片厚度和上述第一基极区的三个双极扩散长度之和。

6、权利要求1的发明所说的内级发射极电极的外沿按照预先确定的距离从如下的任何一个外沿向外延伸：

在所说的上述内级发射极层下面的接通等离子区的外沿，

上述第一级发射极层的外沿。

7、权利要求1的发明所说的上述内级发射极电极的边沿，从上述第一级发射极层的外沿向外延伸一个预先确定的距离。

8、权利要求1的发明所说的控制电阻发射区至少包括两个区段，外区段的电阻高于内区段。

9、在权利要求8的发明所说的电流控制电阻区的外区段比上述电流控制电阻区内区段薄。