[其他]制备自支撑陶瓷材料的方法无效
申请号: | 85105558 | 申请日: | 1985-07-20 |
公开(公告)号: | CN85105558A | 公开(公告)日: | 1987-03-04 |
发明(设计)人: | 马克·史蒂文斯·纽克克;哈里·理查德·茨维克 | 申请(专利权)人: | 兰克西敦公司 |
主分类号: | C04B35/44 | 分类号: | C04B35/44;C04B35/65;C04B35/84 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人: | 陈季壮,罗英铭 |
地址: | 美国19711*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制备 支撑 陶瓷材料 方法 | ||
1、通过液相底基材料与气相氧化环境氧化制备自支撑陶瓷材料的方法,由以下若干工序组成:
a)选择底基金属;
b)当上述底基金属被加热到足够高的温度时,底基金属成为液相,把含有至少一种掺杂材料的覆盖层覆盖在底基金属表面(至少一部分)上,至少一种的上述掺杂材料能够引起底基金属穿过现有表面膜进行迁移,以便使迁移的底基金属能够在氧化环境中;
c)提高至少一部分表面被覆盖含有至少一种掺杂材料的底基金属的温度,使底基金属成为液相并引起底基金属穿过表面膜进行迁移,这样就使迁移的底基金属处在氧化环境中;
d)维持底基金属在高温状态下并保持其在氧化气氛中以足够长的时间,以便使暴露的底基金属与氧化气氛反应并在含掺杂剂层中间或其外部生成底基金属的氧化反应产物,然后继续保持暴露底基金属足够长的时间,使底基金属处于在氧化气氛中生成多余的氧化反应产物,这样便制成了自支撑多晶氧化反应产物结构。
2、按照权项1中所述的方法,其中底基材料为铝或铝合金。
3、按照权项2中所述的方法,其中通过覆盖含有一种促进剂掺杂材料和引发剂掺杂材料的层实施工序(b)。
4、按照权项3中所述的方法,其中引发剂掺杂材料主要由镁源组成。
5、按照权项3中所述的方法,其中促进引发剂掺杂材料主要由第四副族源组成。
6、按照权项3、4或5中所述的方法,其中工序(b)实施的先后顺序是:先形成含有促进剂掺杂物的第一覆盖层,再形成含有引发剂掺杂物的第二覆盖层。
7、按照权项3、4或5中所述的方法,其中工序(b)实施的先后顺序是:先形成含有引发剂掺杂物的第一覆盖层,再形成含有促进剂掺杂物的第二覆盖层。
8、按照权项3、4或5中所述的方法,其中工序(b)是通过均匀地混合促进剂和引发剂掺杂物并把这一混合物覆盖在至少部分底基金属表面上来完成的。
9、按照权项2中所述的方法,其中实施工序(c),以致把底基金属的温度提高在大约1000℃到大约1450℃之间。
10、按照权项2中所述的方法,其中实施工序(c)时以致提高底基金属温度是大约1000℃~1350℃之间。
11、按照权项2中所述的方法,其中底基金属与引发剂掺杂物合金化,并通过把含有促进剂参照物覆盖到底基金属的部分表面上实施工序(b)。
12、按照权项2中所述的方法,其中底基金属与促进剂掺杂物合金化,并通过把含有引发剂参照物覆盖到底基金属的部分表面上实施工序(b)。
13、按照权项11或12中所述的方法,其中引发剂掺杂物是镁源,促进剂掺杂物是第四副族元素源。
14、按照权项1中所述的方法,其中上述至少一种掺杂材料中的一部分与上述底基金属合金化,其余部分的掺杂材料被覆盖在上述表面上。
15、按照权项14中所述的方法,其中上述至少一种掺杂物包括引发剂掺杂材料和促进剂掺杂材料。
16、生产自支撑陶瓷结构的方法由如下工序组成:
(a)至少将一种掺杂材料覆盖到基本上是由铝组成的金属体的部分表面上,这里所指的至少一种掺杂材料,能穿过在该金属体生成的铝氧化膜引起铝的迁移。
(b)已经在部分表面上覆盖有至少一种掺杂材料的金属体,在温度范围大约为1000℃~1450℃,足以使其再熔化的高温条件下,进行氧化气氛处理。
(c)使熔化的金属体中的铝穿过氧化膜发生迁移,并使上述覆盖层暴露在氧化环境中,以便使暴露的铝能与氧化环境反应,从而在氧化铝晶体上形成一覆盖层,这样就生成了含有某些未氧化的底基金属组分的、多晶并且内部相互连接的氧化物陶瓷结构,上述内部相互连接的氧化物是指二氧化铝的含量不低于80%的氧化物。
17、根据权项16中所述的方法,其中工序(a)的实施是通过把含有促进剂和引发剂掺杂材料分别覆盖在部分表面上来完成的。
18、根据权项16中所述的方法,其中工序(a)的实施是通过形成一个含有促进剂和引发剂掺杂材料的覆盖层来完成的。
19、根据权项18中所述的方法,其中覆盖层是引发剂和促进剂掺杂物的混合物。
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