[发明专利]复合磁控溅射靶及其镀膜方法无效
| 申请号： | 85105634.2 | 申请日： | 1985-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN1004495B | 公开（公告）日： | 1989-06-14 |
| 发明（设计）人： | 范玉殿 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 清华大学专利事务所 | 代理人： | 张善余 |
| 地址： | 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 复合 磁控溅射 及其 镀膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种磁控溅射装置，其特征在于该装置具有两个或多个电磁单元，每个电磁单元各配置一个具有独立的励磁电源和磁极对（即N极和S极）的电磁铁，以产生各自的跑道磁场，全部电磁单元的靶板相互邻接（导电）构成一个阴极靶板，并共用同一个溅射电源。
2、如权利要求1所述的装置，其特征在于所述的各个电磁单元中至少有一个采用不同的靶板材料。
3、采用如权利要求1所述的装置进行镀膜的方法，其特征在于根据膜层成份在各个电磁单元上配置不同材料的靶板，同时溅射镀制合金膜，并分别连续调节各电磁单元的励磁电流以实现膜层成份的连续变化。
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