[其他]化合物半导体平面结型器件欧姆接触的制备方法无效
| 申请号： | 85105699 | 申请日： | 1985-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN85105699B | 公开（公告）日： | 1987-02-25 |
| 发明（设计）人： | 吴丁芬;程宗权 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海冶金研究所 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L21/24 |
| 代理公司： | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人： | 季良赳 |
| 地址： | 上海市长宁*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 平面 器件 欧姆 接触 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种在GaInAs或InP平面结型器件的N型和P型层上用同一材料一次蒸发与合金化形成欧姆接触的方法，其特征在于：欧姆接触的合金材料是不含Ni的Au-Ge合金，AuGe合金的Ge含量为1-2wt%。
2、如权利要求1所说的形成欧姆接触的方法，其特征在于平面结型器件是GaInAs为有源层，N区掺杂浓度为1015～1017cm-3，P区掺杂浓度1019～1020cm-3，蒸发AuGe合金，Ge含量为1-2wt%或先蒸发150的Ge，再蒸发2500Au，合金化温度400-410℃，时间1分钟。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
