[其他]高速硅光敏三极管无效
| 申请号： | 85105936 | 申请日： | 1985-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN85105936B | 公开（公告）日： | 1987-11-25 |
| 发明（设计）人： | 何民才 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01L31/10 | 分类号： | H01L31/10 |
| 代理公司： | 武汉大学专利事务所 | 代理人： | 陈畅生,龚茂铭 |
| 地址： | 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高速 光敏 三极管 | ||
【权利要求书】：
1、一种高速硅光敏三极管，其特征在于：所说的光敏三极管的受光面包括暴露于受光面的集电区和基区，所说的基区为网格状，所说的暴露于受光面的集电区位于被基区包围的网眼部分;所说的光敏三极管的集电区不仅包括通常的位于基区下部的集电区，而且还包括与下部集电区相通的，多个位于被基区包围的网眼部位的暴露于受光面的集电区。
2、根据权利要求1所述的高速硅光敏三极管，其特征在于：发射区由两条以上细条组成。
3、根据权利要求1所述的高速硅光敏三极管，其特征在于：衬底材料选用电阻率为0.4-20Ω-Cm，层厚为6-8μm的N型硅外延片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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