[其他]制造半导体器件的装置及其使用方法无效
申请号: | 85106110 | 申请日: | 1985-08-13 |
公开(公告)号: | CN85106110B | 公开(公告)日: | 1987-12-09 |
发明(设计)人: | 小林三男;薄田修;佐野芳彦;渥美幸一郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L21/603 | 分类号: | H01L21/603 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人: | 余刚 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 半导体器件 装置 及其 使用方法 | ||
1、一种制造半导体器件的装置,其压焊金属丝连结在半导体元件的电极层和引线框的外引线之间,该装置包括:
球状体形成装置,它在金属丝压焊位置加热铜或铜合金压焊丝,并在该压焊金属丝的两端形成球状体;
金属丝的进料装置,它用来向所述的金属丝压焊位置提供压焊金属丝,并把金属丝上的球状体压焊到电极上;
压焊装置,它在后步压焊位置将压焊金属丝的球状体压焊到外引线上;
其特征在于包括:
一个传送通道,由一个大体为园柱形的外罩所构成,具有沿传送方向相互分离开的金属丝压焊位置和后步压焊位置,在对应金属丝压焊位置的外罩部位上有一个窗口,以使金属丝能穿过它进入该传送通道,所述传送通道用来沿一个传送方向传送引线框;
气体供给装置,它用来向所述的金属丝压焊位置和后步压焊位置提供还原性气体或惰性气体,并使该还原气体或惰性气体包围金属丝和球状体。
2、一种依照权利要求1的装置,其特征在于还包括加热装置,它位于所述金属丝压焊位置和后步压焊位置处,用来加热引线框。
3、一种依照权利要求1的装置,其特征在于该还原气体是由5%~20%的H2气和95%~80%的N2气混合组成的。
4、一种依照权利要求1的装置,其特征在于所述传送通道包括在沿传送方向上的金属丝压焊位置之前的一个管芯焊接位置,所述气体供给装置为管芯焊接位置提供还原气体或惰性气体,以便由它们包围半导体元件和引线框。
5、一种依照权利要求4的装置,其特征在于包括一个半导体元件的装片装置,用于向所述管芯焊接位置提供半导体元件,并将该元件装在引线框上。
6、一种依照权利要求1的装置,其特征在于所述球状体形成装置包括一个双重结构的燃烧器,它有一内管和一置于该内管外部的外管,H2和O2气的混合体以2∶1的混合片从内管中喷出形成氢氧焰,而O2气和N2气的混合气体以20%至100%∶80%至0%的比例相混合从外管和内管空间的空隙中喷出,以形成包围氢氧焰的气罩。
7、一种依照权利要求1的装置,其特征在于所述窗口的开口面积是可变的,而且当燃烧器熔化金属丝而形成球怀体时,开口面积缩小以使该球状体被还原气体所包围。
8、权利要求1所述的制造半导体器件的装置的使用方法,其特征在于:
加热装置将还原气体的温度保持在不低于200℃,用所述压焊金属丝进料装置对金属丝旋加压力而将其球状体压焊到电极层上以使球状体的二部分延伸到电极层内0.4~3um,并且使球状体和电极层的压焊区直径不小于压焊金属丝直径的两倍,用所述压焊装置,将金属丝的球状体压焊在外引线上且使球状体的一部分延伸到外引线内20~50um。
9、按照权利要求8的使用方法,其特征在于所述压焊金属丝进料装置对金属丝施加50~100克的负荷。
10、依照权利要求8的使用方法,其特征在于所述压焊装置对金属丝施加300~500克的负荷。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造