[其他]光纤的制造方法无效
申请号: | 85106243 | 申请日: | 1985-08-19 |
公开(公告)号: | CN85106243A | 公开(公告)日: | 1987-02-18 |
发明(设计)人: | 安德鲁·马沙尔 | 申请(专利权)人: | 国际标准电气公司 |
主分类号: | C03B37/018 | 分类号: | C03B37/018 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人: | 杜日新 |
地址: | 美国纽约州*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光纤 制造 方法 | ||
1、气相沉积法,其中涉及到由反应剂材料制造掺杂玻璃的一种玻璃形成反应过程,其特征为包括有这样一个步骤:在反应物质被加热到高于玻璃形成反应所需温度前,不会发生此玻璃形成反应过程,由此可以由一种从热力学原理看来不允许较低温度下形成玻璃的组成制造的掺杂玻璃。
2、权利要求1所述的可用于制造掺氟石英玻璃,其中反应剂材料包括三氯氟硅(SiCl3F)。
3、用于由反应剂材料的氧化反应制造掺杂石英玻璃的一种气相沉积法,此种反应剂材料包括有四氯化硅和含有掺杂剂的反应剂,其特征在于,对反应物质加热,达到使至少某些四氯化硅与含有掺杂剂的反应剂之间发生交换反应的温度,而该温度高于氧化反应所需的温度,其中,在反应物质加热到此温度之前不得有氧化反应发生,由此可实现从热力学理论考虑不允许在较低温度下形成玻璃的组成来制造出掺杂的石英玻璃。
4、按照权利要求3所述的沉积法,其中掺杂剂为氟。
5、按照权利要求4所述的沉积法,其中反应剂材料包含有SiF4、CF2Cl2、CF4、SF6、BF3或F2。
6、按照权利要求4或5所述的沉积法,其中的反应剂材料是在惰性气氛中被加热到所述的温度,由此可以促进前述交换反应并且剂材料中生成SiCl3F。
7、按照上述任何一项权利要求所述的沉积法,包括生产光纤予制件的管内气相沉积法。
8、用于在管内通过氧化反应进行气相沉积而形成掺杂玻璃,以制成光纤予制件的设备,其特征为:用在本设备中的以旋转方式支撑衬底管的装置;加热衬底管某个氧化反应区的装置;沿衬底管长度横向移动加热机构的装置;对所产生的反应剂蒸气流进行导流的装置;将反应剂蒸气输入衬底管内的装置;以及向衬底管内输入氧气的装置,反应剂蒸气供给装置和氧气供给装置应组配成当使用本设备时,氧化反应只可能发生在反应剂蒸气被加热到所述温度之后,由此可以实现从热力学理论考虑不允许在较低温度下形成玻璃的组成来制造出掺杂玻璃。
9、按照权利要求8所述的设备,其中的反应剂蒸气供给装置在用于本设备时耦合于衬底管的一端,而且氧气供给装置包括有从其一端伸进衬底管内的管子,这一氧气供给管可在衬底管内沿轴向移动,使其向衬底管内输氧的一端与加热装置保持着一致的移动。
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