[其他]结型场效应晶体管电阻式差动放大器

权利要求书

1、JFET差动放大器，包括：

第一和第二JFET晶体管，其漏极连接在一起，

第一和第二电阻器，它们分别连接到上述晶体管的源极并汇成一个结点，

一个连接到上述晶体管栅极的输入电路和一个连接到上述晶体管源极的输出电路。

为了通过上述电阻器给上述源极加偏置，对上述结点提供直流偏置电压V_SS的装置，

提供一直流漏极偏压V_DD至所说共同连接的漏极的装置，其特征是：

上述偏置电压供给装置提供选定数值的电压，以使上述JFET晶体管工作在漏电流I_D一漏源电压V_DS特性曲线的电阻区，由此作为电压控制的电阻器，其阻值随栅一源电压V_GS的大小而变化。

2、如权利要求1中所要求的，JFET差动放大器其进一步特征在于，上述偏置电压供给装置提供选定值的偏置电压以便使每个JFET晶体管工作在其漏一源电压V_DS小于V_GS-V_{GS OFF}电压的状态下，其中V_{GS OFF}是当上述JFET晶体管额定基本上没有漏电流时的栅对源电压。

3、如权利要求2中所要求的，JFET差动放大器，其进一步特征在于，上述第一和第二电阻器具有相等的电阻值。

4、如权利要求3中所要求的，JFET差动放大器，其进一步特征在于，上述第一和第二电阻器的电阻分别大于上述第一和第二晶体管的沟道电阻。

5、如权利要求4中所要求的，JFET差动放大器其进一步特征在于，每个上述第一和第二电阻器的电阻值是每个上述第一和第二晶体管沟道电阻值的二十倍。