[发明专利]形成铂电阻温度计的方法

权利要求书

1、一种按照预定图形的制造铂薄膜电阻温度计的方法，包括下列步骤：

提供一个与铂基本不起作用的，带有平，清洁上表面的衬底；

淀积一层刻蚀介质，该刻蚀介质基本上与衬底表面的铂不起作用，去掉刻蚀介质以凹进通路的形式暴露于衬底表面，通路是由与预定图形相反的刻蚀介质图形确定的；

在衬底的暴露部分和刻蚀介质上淀积铂，已形成紧密排列的铂柱形晶粒的条，该铂从衬底向外凸出，圆柱形晶粒在铂带外缘相邻处和带的其它部分铂晶粒基本无变化，并且

去除刻蚀介质和刻蚀介质上的电阻材料，同时留下在通路上粘连到暴露的衬底表面上的电阻材料。

2、根据权利要求1所述的方法，包括首先将刻蚀介质淀积到衬底的整个表面，并且去除步骤中包括腐蚀掉刻蚀介质以确定通路，该通路带有高出衬底表面刻蚀介质所确定的腐蚀侧表面。

3、根据权利要求1所述的方法，包括在淀积电阻材料之后腐蚀掉刻蚀介质，并去除不在所确定通路上的电阻材料。

4、根据权利要求2所述的方法，其中淀积在通路中的电阻材料厚度小于刻蚀介质的厚度，这样，通路侧表面的高度将超过通路中电阻材料的厚度，从而，使沉积的电阻材料在靠近侧表面的最外部分形成疏松带。

5、根据权利要求1所述的方法，其中，电阻材料是铂并且铂在高温下，活性气氛下以一个慢速率喷射淀积以在时间控制没有极限的方式下产生圆柱铂晶粒。

6、根据权利要求1所述的方法，其中，刻蚀介质被选择以在温度为500℃的淀积环境下沿着通路和整个暴露于电阻材料的基本上垂直侧面，产生精确确定陡峭顶缘。

7、根据权利要求1所述方法，其中刻蚀介质是从SiO₂衍生出的四乙基正硅酸盐（TEOS）。

8、根据权利要求1所述的方法，其中衬底材料为外延级别的蓝宝石。

9、根据权利要求1所述的方法，其中刻蚀介质是化学汽相淀积氧化硅。

10、一种成批生产的铂薄膜电阻温度计，其中包括：

用于支撑铂的衬底物;

在衬底物上形成的弯曲带状图形的电阻带，电阻带具有一定的带长，预定的厚度和确定带状图形宽度的边缘;该电阻带的特征在于从整个长度，厚度与宽度方向看，它都具有由紧密排列的柱状铂晶粒组成的基本均匀的结构，而且上述结构的周围边缘基本上没有疵点。

11、根据权利要求10的电阻温度计，其中铂晶粒具有基本上垂直于衬底的纵轴。

12、根据权利要求11的电阻温度计，其中铂的大部分晶粒在带的整个厚度方向是连续的。

13、一个铂薄膜电阻温度计，它具有在一绝缘衬底上的一个预定图形上形成的电阻材料，该电阻材料具有可控的电阻温度系数，其中温度计的形成步骤包括：

形成一层刻蚀介质层，它基本上与衬底上的电阻材料不发生化学反应;

在刻蚀介质上形成一个与预定图形相反的反图;

在衬底上淀积电阻材料;

清除刻蚀介质和附着在刻蚀介质上的电阻材料，同时留下位于预定图形处的固定于衬底上的电阻材料，它具有一个可控的电阻温度系数。

14、根据权利要求13的温度计，其中电阻温度系数可被控制，而与一批一批之间薄膜厚度变化基本无关。

15、根据权利要求13的温度计，其中电阻材料包括铂。

16、根据权利要求13的温度计，其中刻蚀介质包括高纯度的二氧化硅。