[其他]形成铂电组温度计的方法

权利要求书

1、一个具有迴折铂电阻带状的铂电阻温度计，该铂电阻带在一衬底上形成一个图形，其中铂是在活性环境下淀积到衬底上的，步骤包括：

将衬底预热至某一选定的高温；

在衬底上溅射淀积铂至所需厚度；

在溅射淀积铂的同时，将衬底温度控制在选定的高温。

2、根据权项1的温度计，其中铂是以射频方式淀积到衬底上的。

3、根据权项1的温度计，其中活性环境的压力小于大气压。

4、根据权项1的温度计，其中所选择的衬底温度为350℃-500℃。

5、根据权项1的温度计，其中温度计在铂淀积完后要进行热处理，并且热处理后淀积层具有足够的厚度，以在衬底上形成至少厚为7000埃的带状物。

6、一种用电阻材料制造薄膜电阻温度计的工艺过程，包括步骤如下：

提供一个具有上表面的衬底;

淀积一层刻蚀介质，该刻蚀介质基本上与衬底表面上的电阻材料不起化学反应，将通路中的衬底表面暴露在外，通路形状是由与预定图形相反的刻蚀介质图形确定的;

将所需的电阻材料淀积在衬底的露出部分和刻蚀介质上;

清除刻蚀介质和刻蚀介质上的电阻材料，同时留下电阻材料牢固地粘在由通路中暴露出的衬底表面上。

7、根据权项6的工艺过程，它包括的步骤为首先将刻蚀介质淀积到衬底上，然后腐蚀掉刻蚀介质以形成通路，该通路具有在由高出衬底表面的刻蚀介质所确定的表面。

8、根据权项7的工艺过程，在淀积完电阻材料后，将刻蚀介质从衬底上腐蚀掉，同时除去不在所确定通路上的电阻材料。

9、根据权项8的工艺过程，其中淀积在通路中的电阻材料厚度小于刻蚀介质的厚度，这样，通路侧表面的高度将超过通路中淀积材料的厚度，从而，使淀积的电阻材料在靠近该侧表面的最外部分形成疏松带段。

10、一种成批生产的铂薄膜电阻温度计，其中包括：

用于支撑铂的衬底物;

在衬底物上形成的弯曲带状图形的电阻带，电阻带具有一定的带长，预定的厚度和确定带状图形宽度的边缘;该电阻带的特征在于从整个长度，厚度与宽度方向看，它都具有由紧密排列的柱状铂晶粒组成的基本均匀的结构，而且上述结构的周围边缘基本上没有疵点。

11、根据权项10的电阻温度计，其中铂晶粒具有基本上垂直于衬底的纵轴。

12、根据权项11的电阻温度计，其中铂的大部分晶粒在带的整个厚度方向是连续的。

13、一个薄膜电阻温度计，它具有在一绝缘衬底上的一个预定图形上形成的电阻材料，该电阻材料具有可控的电阻温度系数，其中温度计的形成步骤包括：

形成一层刻蚀介质层，它基本上与衬底上的电阻材料不发生化学反应;

在刻蚀介质上形成一个与预定图形相反的反图;

在衬底上淀积电阻材料;

清除刻蚀介质和附着在刻蚀介质上的电阻材料，同时留下位于预定图形处的固定于衬底上的电阻材料，它具有一个可控的电阻温度系数。

14、根据权项13的温度计，其中电阻温度系数可被控制，而与一批一批之间薄膜厚度变化基本无关。

15、根据权项13的温度计，其中电阻材料包括铂。

16、根据权项13的温度计，其中刻蚀介质包括高纯度的二氧化硅。