[其他]光生伏打器件及其制造方法

权利要求书

1、一种光生伏打器件的制造方法，包括：

第一步，把第一电极薄膜分别布置在基片表面的各个区域里；

第二步，加上一层薄膜型半导体光敏层，它用来形成载体，从而产生电能，还加上第二电极薄膜。使上述半导体光敏层和上述第二电极薄膜延伸复盖在各相邻第一电极薄膜上；

第三步，在第二电极薄膜上布置带孔的掩膜，通过掩膜孔对显露部分进行腐蚀，从而清除掉上述第二电极薄膜的显露部分，因此，上述第二电极薄膜被分割成许多区域，而上述半导体光敏层被部分显露出来；

第四步，通过上述掩膜孔进行腐蚀，将位于上述第二电极薄膜各个间隔区域中半导体光敏层的显露部分清除掉，从而，使相邻区域中第一电极薄膜部分显露出来；

第五步，将上述各个第一电极薄膜的显露部分与和其相邻的区域中第二电极薄膜进行电连接；

其进一步特征在于上述的第四步还包括这样一个步骤：通过使用在上述半导体光敏层腐蚀过程中使用过的掩膜，腐蚀清除掉面向半导体光敏层的第二电极薄膜的接触面的显露部分，该显露部分是由上述对半导体光敏层的腐蚀，从下部蚀空而显露出来的。

2、根据权利要求1所述的光生伏打器件的制造方法，其特征是：

上述第四个步骤包括这样一个步骤：把所述掩膜，即形成在基膜一面上的一层较厚的感光式光致抗蚀剂膜，加在上述的第二电极薄膜上。通过腐蚀清除掉位于上述第二电极薄膜间隔区域中的上述半导体光敏层各部分。

3、根据权利要求1所述的光生伏打器件的制造方法，其特征是：

上述第五步包括这样一个步骤：即形成一个连接电极薄膜，其一端与上述各个第一电极薄膜的显露部分进行电连接，另一端与另一相邻区域的第二电极薄膜进行电连接。

4、根据权利要求3所述的光生伏打器件的制造方法，其特征是：

上述形成连接电极薄膜的步骤包括这样一个步骤：即上述连接电极薄膜的另一端与另一相邻区域中第二电极薄膜进行电连接，而使该另一端不与所述的另一相邻区域中的第一电极薄膜相重叠。

5、根据权利要求3所述的光生伏打器件的制造方法，其特征是：

上述第五步包括这样一个步骤，即采用由耐酸金属材料形成的连接面，将上述第一电极薄膜的显露部分与上述的另一相邻区域中第二电极薄膜进行电连接。

6、根据权利要求1所述的光生伏打器件的制造方法，其特征是：

上述第一步包括这样一个步骤，即采用透明的氧化电极材料或者铝来形成上述第一电极薄膜。

7、根据权利要求1所述的光生伏打器件的制造方法，其特征是：

上述第三步包括这样一个步骤，即采用透明的氧化电极材料或铝来形成上述第二电极薄膜。

8、一光生伏打器件包括：

一个基片，在上述基片上形成的许多光电转换单元，每一个单元包括第一电极薄膜，半导体光敏层及第二电极薄膜。还包括使各个相邻光电转换单元进行电串联的连接电极薄膜，在相邻光电转换单元的各间隔区域，上述各连接电极薄膜的一端连接在相邻光电转换单元之一的第二电极薄膜上，而上述各连接电极薄膜的另一端连接到上述第一电极薄膜上，其进一步特征在于：上述各连接电极薄膜的一端从所述光电转换单元的第二电极薄膜沿着显露的半导体光敏层侧面向下延伸。而上述各连接电极薄膜的另一端延伸到从另一个相邻光电转换单元显露出来的上述第一电极薄膜的显露部分，以致与所述第一电极薄膜相连接。

9、根据权利要求8所述的光生伏打器件，其特征是：

上述半导体光敏层的侧面，由于过度腐蚀，形成倾斜，而且，各连接电极薄膜形成为沿着上述倾斜侧面向下延伸。

10、根据权利要求8所述的光生伏打器件，其特征是：

通过施加能量束，使上述的半导体光敏层侧面形成为垂直地向下延伸，而且，使形成的上述连接电极薄膜沿着从上述第二电极薄膜显露出来的半导体光敏层上部表面，并沿着上述垂直向下延伸的半导体光敏层的侧面，向下延伸。

11、根据权利要求8所述的光生伏打器件，其特征是：

上述连接电极薄膜与上述另一个相邻光电转换单元的第二电极薄膜进行电连接，而使上述连接电极薄膜的另一端不是位于上述另一相邻光电转换单元的第一电极薄膜上面。