[其他]塑料封装的半导体器件

说明书

本发明涉及到塑料封装的半导体器件，包括一个半导体主体，其中至少在它的一侧有金属接触和/或导电引线，还制有一层氮化硅保护层。覆盖住半导体主体的整个表面，包括电极和交界面的图形，也就是权利要求1的序言中所述的。

如众所周知的，常用的制造半导体器件的方法是这样，用一片半导体材料，制成具有不同导电类型的各个区域，再用导电材料制做引线。例如用铝，并将其连接起来。这种半导体片子和系统非常灵敏，并且很容易被损坏。在进一步加工的过程中，可能很容易受到环境的污染，并且那些引线由于很短，彼此又十分靠近，就更容易受到损坏。其结果会导至半导体器件的电学特性产生偏差。因此，为了避免这种偏差，就需要在半导体的主体上使用保护层，用来保护半导体片子的表面以及在半导体片子上制作的引线和电极。对于保护层来说，一般人们所知道的是使用绝缘材料，然而绝缘材料仍然具有吸气剂的性质，这方面的技术可见IBM杂志中1964年9月第376-384页和1964年4月第102-114页。由于使用了氮化硅，半导体器件的性能得到改进。从而氮化硅成为特别适宜在半导体主体上做为保护层的材料。使用这种材料不但能保护涂层表面免受机械损伤（即机械划伤），还能免遭大气中的污染（即外界离子的污染）。

然而，如前面已经叙述过的半导体器件，以及从德国已公开的专利申请号DE1614，374中也可以了解到的半导体器件仍然存在着一些缺点。如众所周知的，为了获得有广泛市场的半导体器件，在半导体器件中，使用和建立起下面所述的电连接方法，以便保护半导体器件和提供更好的放置半导体器件的方法，把半导体器件放在一个外壳内。该外壳可以用玻璃、陶瓷、金属或塑料等材料制成。用分层模压法或者用挤压模塑法将其封装到一个塑料外壳中是十分有效的做法。这样，在外壳的里面，必须有很大的剪切力时才能导至铝引线的断裂。其理由可以从下面看到，在封装过程中，氮化硅保护层的厚度并不足以用做填充铝导线之间的自由表面以达到防止侧面压力施加到这些导线上的程度。然而，在淀积氮化硅期间，随着精确的露出原来结构，那些尖锐的边缘仍然会导至产生侧面压力。

因此，氮化硅的层厚或称之为氮化硅保护层厚度必须这样来确定，也就是要避免由于压力而结果导至破碎，而存在着的压力是很容易使氮化硅涂层裂开或是碎掉的。然而，这意味着，比铝导线的高度低的氮化硅保护层的厚度，不足以充分地保护半导体器件避免侧面压力的影响。

这正是本发明要解决的问题，本发明的目的正如在权利要求中提到的特征部分那样，是提供一种半导体器件，其中将器件的导线和彼此之间的接触加以保护，使其能够抵抗断裂的压力。

一方面，用本发明可实现的优点是解决它本身的问题。也就是提供了一种半导体器体，并保护了半导体器件中的导线以抵抗断裂压力。另一方面，与此相连系的是改进了质量。并且在制造半导体器件的过程中，还提高了产量。

下面，参考附图1到附图3，将详细地解释本发明：

图1表示按照先有技术中使用的半导体器件中半导体的主体部分。

图2和图3表示关于本发明示例的实施方案中的部分横截面。

图1表示按照先有技术的半导体器件中半导体主体的部分，其中包括半导体基片1。在该基片中没有标出形成的不同导电型区域，在基片1的一侧表面上，装配了铝制的导线2，该导线刚好连接到保持自由的半导体基片的表面上，并用一层氮化硅保护层3覆盖住，氮化硅保护层3的厚度在0.2微米到0.8微米之间，最好用0.4微米的氮化硅保护层厚度。在有尖锐的边缘以及侧面压力的那些点上，都用箭头在图1中指示出来。

本发明示例的实施方案有如图2所示，这与图1所示的先有技术之间的差别在于：用一层二氧化硅保护层4覆盖住氮化硅的保护层3，其厚度在0.8微米到2.0微米之间，最适宜的厚度是在1.0微米到1.2微米之间。如果需要的话，还可以再用一层氮化硅保护层5将二氧化硅保护层覆盖住，其厚度为0.4微米，正如图3中所示。

制造半导体器件的次序有如图2和图3所示，首先准备好一片半导体基片1，然后，用通常所使用的加工方法进行生产制造，按照通常使用的工艺过程制造出来的结构有如图1所示，在等离子体反应室内，使用汽相的硅烷和氨水用淀积的方法制造氮化硅保护层3。再用同一个反应室，以氧代替氨，可在氮化硅保护层3上淀积上一层氧化硅保护层4，氧化硅的厚度在1.0微米到1.2微米的范围之间，如图2所示。如果需要的话，使用前面提到过的工艺方法，可以在二氧化硅保护层4上再淀积一层氮化硅层5。

这样淀积的二氧化硅可以是很纯的，但是，使用掺杂了的二氧化硅做为保护层仍能得到同样好的效果。