[其他]多结半导体器件

权利要求书

1、一种串接型半导体器件，它包括两个以上各自具有至少一个P型半导体层和至少一个n型半导体层的叠层电池，最外层的半导体层上配有一个电极，而且具有改善的耐热和耐光性，其特征在于：至少一个杂质扩散阻挡层夹在一P型半导体层和一n型半导体层之间，所述扩散阻挡层是由从以下物质组中选出的至少一层所组成的，该物质组包括氮化物层，透明导电氧化物层，金属硅化物层，可形成硅化物的金属层，不含氢的半导体层以及硅化物层。

2、根据权利要求1的半导体器件，其特征在于，该半导体层由Si，Ge，SiGe，或含有Si和（或）Ge的合金构成。

3、根据权利要求1的半导体器件，其特征在于，至少有一层半导体是由氢化的非晶半导体构成的。

4、根据权利要求1的半导体器件，其特征在于，该氮化物层是氮化钛层。

5、根据权利要求1的半导体器件，其特征在于，至少一个电极是透明的导电氧化物。

6、根据权利要求5的半导体器件，其特征在于，该透明导电氧化物层是氧化铟锡，氧化锡，氧化铟或者氧化镉锡层。

7、根据权利要求1的半导体器件，其特征在于，该金属硅化物层为硅化铬，硅化镍，硅化铌，硅化钼，硅化钯，硅化钽，硅化钨，硅化铱或者硅化铂层。

8、根据权利要求1的半导体器件，其特征在于，该可形成硅化物的金属层是铬，镍，铌，钼，钯，钽，钨，铱或铂层。

9、根据权利要求1的半导体器件，其特征在于：该扩散阻挡层是含有一层硅化物的可形成硅化物的金属层，所述硅化物层与所述半导体层相接触。

10、根据权利要求1的半导体器件，其特征在于，该扩散阻挡层是含有一层硅化物的金属层，所述金属呈金属态，所述硅化物层与所述半导体层相接触。

11、根据权利要求1的半导体器件，其特征在于，该扩散阻挡层也可配置在所述半导体层和所述电极之间。

12、根据权利要求1至11中任何一项的半导体器件，其特征在于，该器件具有至少两个pin结。