[其他]程序可控半导体结构及其编制程序法

权利要求书

1、一种改进类型的程序可控阵列（30、70、110、170）有很多单个的程序可控单元和第一套与第二套地址线（34、38;38、82;82、112;112、114;114、116;116、118），每套导线中间留有许多个间隔分开这些导线，其中把上述程序可控单元在每套上述第一和第二套地址线中至少用一条导线连接，改进的特征在于：

上述程序可控单元（10、20、54、160、172）的每一个在最初至少用很多整流半导体结（12、14;50、52）串联形成的，再将每个单元程序控制成四种状态之一，上述四种状态中的第一种状态（图1A、2A、20A）是在两条导线之间的单元电阻抗在两个方向上都是相对比较高的，第二种状态（图1B、2B、20B）是在两条导线之间的单元电阻抗在一个方向上是相对比较高的，而在相反方向上是相对比较低的，第三种状态（图1C、2C、20C）是在两条导线之间的单元电阻抗在上述相反方向上是相对比较高的，而在上述第一个方向上是相对比较低的，第四种状态（图1D、2D、20D）是在两条导线之间的单元电阻抗在上述两个方向上都是相对比较低的。

2、一种如权利要求1所述的阵列，其中将上述每个单元在最初制成上述第一种状态。

3、一种如权利要求1所述的阵列，其中上述每个单元都是非易失的存储器单元，并将其在最初制成上述四种状态中的一种，其中每个上述单元都被程序控制成上述其余三种状态中的一种。

4、一种如权利要求1所述的阵列，其中上述程序可控单元在它的许多半导体结之间都有连接的终点部分（161），用来单个选取在上述终点部分和上述第一套地址线之间连接的至少其中一个上述半导体结（12;52），以及在上述终点部分和上述第二套地址线之间连接的至少另一个上述半导体结（14;50）。

5、一种如权利要求1所述的阵列，其中上述程序可控单元至少包括一层相位可变材料（40、42、44、45、46、48）。

6、一种如权利要求5所述的阵列，其中上述相位可变材料包括一个非晶半导体合金。

7、一种如权利要求6所述的阵列，其中上述非晶半导体合金是由硅、锗或硅锗结合构成的几组材料中之一选择形成的合金材料。

8、一种如权利要求1所述的阵列，其中上述程序可控单元（10、20、54、160、172）在上述整流结（12、14;50、52）之间包括一个金属层（39、161）。

9、一种如权利要求1所述的阵列，其中上述程序可控单元是垂直排列的，并至少部分地由许多半导体材料层（36）形成的。

10、一种如权利要求1所述的阵列，其中上述程序可控单元的上述半导体结（12、14;50、52）至少部分地由沉淀的半导体材料形成的。

11、一种如权利要求9或10所述的阵列，其中上述半导体材料是非晶半导体合金材料（40、42、44、45、46、48;166、168）。

12、一种如权利要求9所述的阵列，其中每个上述程序可控单元都确定一对背靠背排列的二极管（12、14;50、52）和上述第一套与第二套地址线（34、38;38、82;82、112;112、114;114、116;116、118）至少部分地采取一些手段用来将上述半导体材料层电分隔成上述程序可控单元。

13、一种如权利要求12所述的阵列，其中在上述每对背靠背二极管中的每个二极管中间都制有一个金属的分隔部分（39、161）。

14、一种如权利要求9所述的阵列（70、110），其中还有第二个多层（36）程序可控单元（54），该单元是在形成的上述第一个多层（36）半导体材料的上面至少部分地由第二个多层半导体材料（40、42、44、45、46、48;116、168）形成。