[其他]电子电路器件及其制造方法无效
申请号: | 85108637 | 申请日: | 1985-10-05 |
公开(公告)号: | CN85108637B | 公开(公告)日: | 1988-03-09 |
发明(设计)人: | 佐藤了平;大岛宗夫;田中稔;坂口胜;村口旻;广田和夫 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所 |
主分类号: | H05K3/34 | 分类号: | H05K3/34;H05K13/04;B23K35/24 |
代理公司: | 中国专利代理有限公司 | 代理人: | 肖春京 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子电路 器件 及其 制造 方法 | ||
1、一种电子电路器件,包括:
一种基板;
一种装配在所说的基板上的组合件;及用于将所说的组合件与所说的基板连接的焊料;其特征在于:
所说的焊料包括低熔点的焊料和须经加工及热处理的高熔点焊料;并
经由所说的低熔点焊料使所说的高熔点焊料与所说的基板和所说的组合件相连接。
2、根据权利要求1的一种电子电路器件,其特征在于所说的组合件是一种电子电路元件,所说的基板是一种电子电路基板。
3、根据权利要求1的一种电子电路器件,其特征在于所说的组合件是一种半导体芯片,所说的基板是一种电子电路基板,在该基板上面装配所说的半导体芯片。
4、根据权利要求1的一种电子电路器件,其特征在于将一种电子电路元件装配在所述的电子电路基板上,并以第一种焊料与所说的基板相连接;
用于遮盖所说的电子电路元件的盖子是用第二种焊料与所说的电子电路基板连接的;及
所说的第一和第二种焊料至少有一种由低熔点焊料和须加工及热处理的高熔点焊料构成。
5、用于权利要求1的电子电路器件的制造方法,其特征在于所说的方法包括步骤:
准备包括低熔点焊料和须经加工及热处理的高熔点焊料在内的焊料;
在所说的高熔点焊料的预定部位和所说的基板和待连接的组合件预定部位之间放入所说的低熔点焊料;之后
借助熔化所说的低熔点焊料将所说的高熔点焊料部分连接到待连接的基板和组合件上。
6、根据权利要求5的一种制造电子电路的方法,其特征在于所说的高熔点焊料的预定部位和所说的待连接的基板和组合件的预定部位之间放入所说的低熔点焊料步骤,是通过预先将所说的低熔点焊料熔接在所说的高熔点焊料的所说的预定部位来实现的。
7、根据权利要求5的一种制造电子电路的方法,其特征在于,所说的高熔点焊料的预定部位和所说的待连接的基板和组合件的预定部位之间放所说的低熔点焊料的步骤,是通过预先将所说的低熔点焊料熔接在所说的待连接基板和组合件所说的预定部位来实现的。
8、根据权利要求5的一种制造电子电路器件的方法,其特征在于所说的组合件是一种电子电路元件,而所说的基板是一种电路基板;所说的方法包括在所说的高熔点焊料和所说的电子电路元件之间及在所说的高熔点焊料和所说的电子电路基板之间放入所说的低熔点焊料的步骤和通过在低于所说的高熔点的熔化温度而又能使所说的低熔点焊料熔化温度下加热所说的焊料,使所说的电路元件和所说的电路基板相互连接的步骤。
9、根据权利要求5的一种制造电子电路器件的方法,其特征在于所说的基板是一种电子电路基板,所说的组合件是一个用于遮盖电子电路元件的盖子,并将待连接在电路基板上的电子电路元件装配在所说的电子电路基板上;所说的方法包括在所说的高熔点焊料和所说的盖子之间及在所说的高熔点焊料和所说的电子电路基板之间放入所说的低熔点焊料的步骤和通过在低于所说的高熔点焊料的熔化温度而又能使所说的低熔点焊料熔化的温度下加热所说的焊料,使所说的盖子和所说的电路基板相互连接的步骤。
10、根据权利要求5的一种制造电子器件的方法,其特征在于,所说的方法包括步骤:
将所说的高熔点焊料形成薄片并用一种增强材料薄片层来增强它一个端面,该增强材料薄层在不高于100℃的温度条件下淬火,同时在所说的高熔点焊料低的温度下可熔化。
对已增强过的焊料开槽,从所说的高熔点焊料穿过所说的高熔点焊料部分到所说的薄片的中间点;及
将低熔点焊料附盖在所说的高熔点焊料部分的所说的端面,用该低熔点焊料将待连接的基板和组合件和所说的高熔点焊料部分连接。
11、根据权利要求5的一种制造电子电路器件的方法,其特征在于,所说的方法包括步骤:
将所说的高熔点焊料形成薄片,并用一种增强薄层来增强它的一个端面,该增强薄层在比所说的高熔点焊料低的温度下可熔化;
对已增强的焊料薄片开槽,从所说的高熔点焊料部分穿过所说的高熔点部分到所说的薄片的中间点;及
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