[其他]互补半导体器件

权利要求书

1、一种单片互补半导体器件包括：

第一导电型半导体衬底区，衬底区具有一表面;

高杂质浓度的半导体埋层区布设並直接与上述衬底区的表面相接触，而且至少包含一上述第一导电类型的第一埋层区和具有第二导电类型的第二埋层区，该第二导电型是与上述第一导电类型相反的，第一和第二埋层区具有一中间间隔。

与上述埋层区相比，低杂质浓度的半导体陷井区布设在上述埋层区上，半导体陷井区延伸到並在主表面上形成，並具有布置在上述第一埋层区上的至少第一导电型的第一陷井区和在上述第二埋层区的第二个导电型的第二个陷井区，从而在第一和第二陷井区也设置有如在第一和第二埋层区之间的同样间隔;及

一绝缘部分从上述主表面延伸到上述衬底区並填充了（1）上述第一陷井和埋层区及（2）上述第二陷井和其最接的埋层区之间的间隔，上述绝缘部分围绕着上述第二陷井和埋层区，而並不围绕着上述第一陷井和埋层区，从而，由上述绝缘部分使第一陷井和埋层区与第二陷井和埋层区分离开来。

2、根据权利要求1，一单片互补半导体器件，进一步包括：

上述第二导电型的第一掺杂区安置在紧邻上述主要表面的上述第一陷井区;和

上述第一导电型的第二掺杂区是安置在紧邻上述主要表面的上述第二陷井区内。

3、根据权利要求2，一单片互补半导体器件进一步包括：

上述第二导电型的第三掺杂区是安置在紧邻上述主要表面的上述第一陷井区内，并由予先确定的距离与上述第一掺杂区分离;

用于建立电子场和控制上述第一和第三掺杂区之间的电流通路的第一栅装置;

上述第一导电型的第四掺杂区是安置在紧邻上述主要表面的上述第二陷井区内，并予先确定的距离与上述第二掺杂区分离开;

用于设立电子场并控制上述第二和第四掺杂区之间的电流通路的第二栅装置。

4、根据权利要求1，一单片互补半导体器件，其中上述的半导体是硅，上述的绝缘成分包括一多晶硅体，一绝缘材料层围绕在多晶硅体周围。

5、根据权利要求4，一单片互补半导体器件，其中上述的绝缘材料包括氧化硅。

6、根据权利要求1，一单片互补半导体器件进一步包括：

上述的第一导电型半导体隔离区，具有比上述衬底区高的杂质浓度，是扩散在上述的绝缘成分下面的上述衬底中并围绕在上述第二埋层区的周围。

7、根据权利要求1，一单片互补半导体器件，其中的上述埋层区，进一步包括上述第二导电型的一个第三埋层区，上述的陷井区进一步包括一个上述的第二导电型的一个第三陷井区第三陷井区安设在第三埋层区上，该器件进一步包括：

在紧邻上述主要表面的上述的第三陷井区中形成一个上述的第一导电型基区;

在紧邻上述主表面上的上述基区内形成一上述第二导电型的发射区;

在紧邻上述的主要表面的上述的第三陷井区中形成一个上述的第二导电型的一个集电极接触区。

8、根据权利要求7，一单片互补半导体器件，进一步包括：

上述的第一导电型半导体隔离区，具有比上述衬底区高的杂质浓度，是扩散在上述的绝缘成分下面的上述衬底中，并围绕在上述的第三埋层区的周围。

9、根据权利要求8，一单片互补半导体器件，进一步包括：