[其他]薄膜晶体管的制作方法无效
| 申请号： | 85109088 | 申请日： | 1985-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN85109088A | 公开（公告）日： | 1986-08-27 |
| 发明（设计）人： | 林久雄;野口隆 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 肖春京 |
| 地址： | 日本东京都品*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种制作薄膜晶体管的方法，其特征在于：在一预定的基板上，形成一层多晶半导体薄膜；将预定的离子注入所说的多晶半导体薄膜中，以形成一层非晶半导体薄膜；在所说的非晶半导体薄膜上，形成一层栅绝缘膜和一栅电极；利用所说的栅电极和栅绝缘膜作掩膜，进行掺杂，以便在所说的非晶半导体薄膜中形成源区和漏区；进行退火以实现所说非晶半导体薄膜的固向生长，同时使杂质电激活，以形成所说的源区和漏区。
2、根据权利要求1的方法，其特征在于：所说的多晶半导体薄膜包括多晶硅膜。
3、根据权利要求2的方法，其特征在于：离子包括剂量为1×1015/〔厘米〕2至5×1015/〔厘米〕2的Si+离子。
4、根据权利要求2或3的方法，其特征在于：所说的多晶硅膜是用低压化学汽相沉积方法在基板温度为580℃至600℃时形成的。
5、根据权利要求1，2，3或4的方法，其特征在于：所说的预定基板包括玻璃基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
