[其他]缓变晶格外延层的生长

权利要求书

1、由立方晶系的半导体材料组成的上述外延层在基片上生长的方法。当生长结束时，处延层的晶格常数可以从相邻于上述基片的初始晶格常数缓变至外延层表面上的最终晶格常数。此外延层生长的方法包括，在上述基片上形成大量的生长表面的步骤，外延层上述生长表面上生长和控制上述外延层的晶格常数，它从上述初始的晶格常数变化至上述最终的晶格常数。上述的生长表面和受控制的晶格常数的变化是这样的，在上述外延层生长期间，对于上述外延层表面上每一个初始面积元，它在初始点有一初始晶格常数，过段时间后，在上述外延层表面上就有一个与之相关的类似面积元，它在类似点有一类似的晶格常数。在时间上上述类似点发生在初始点之后。每一个初始的面积元和与其相关的类似的面积元之比，如果上述初始的晶格常数比上述类似晶格常数小，那么，就小于1，如果上述初始的晶格常数比上述类似的晶格常数大，那么，就大于1。在上述外延层生长时，控制每一个初始的面积元和与之相关的类似面积元之间的相互关系，使得在外延层生长继续进行时，从初始面积元生长出来的上述外延层的那部分的表面和上述相关的类似面积元的表面在上述类似点处相吻合。

2、根据权利要求1的生长外延层的方法，除了上述多个生长表面外，在上述的基片表面上还形成了一个涂层。每一个上述生长表面具有数值小于500平方微米的面积。

3、根据权利要求1的生长外延层的方法，其中上述多个生长表面的每一个被控制成凹形表面，并且将上述最终晶格常数控制到小于上述初始晶格常数。

4、根据权利要求3的生长外延层的方法，其中所说的凹形表面与局部的球形表面相吻合。

5、根据权项要求1的生长外延层的方法，其中上述的多个生长表面的每一个被制成凸形表面，并且将上述最终晶格常数控制到大于上述初始晶格常数。

6、根据利项要求5的生长外延层的方法，其中上述的凸形表面与局部的球形表面相吻合。

7、在根据利项要求1的生长外延层的方法，其中每一个初始面积元素和与其相关的类似面积元的上述比有一比值，如果上述初始晶格常数小于上述类似的晶格常数，上述比值就不大于上述初始晶格常数与类似的晶格常数之比的平方，如果上述初始晶格常数大于上述类似的晶格常数，此比值就不小于上述初始晶格常数与上述类似的晶格常数之比的平方。

8、根据利项要求7的生长外延层的方法，除了上述多个生长表面外，在上述的基片表面上形成一个涂层。每一个生长表面具有数值小于500平方微米的面积。

9、根据权利要求7的生长外延层的方法，其中上述大量生长表面的每一个被制成凹形表面，并且将上述最终晶格常数控制到小于上述初始晶格常数。

10、根据权利要求9的生长外延层的方法，其中上述的凹形表面与局部的球形表面相吻合。

11、根据权利要求7的生长外延层的方法，其中上述的多个生长表面的每一个被制成凸形表面，并且将上述最终晶格常数控制到大于上述初始晶格常数。

12、根据权利要求11的生长外延层的方法，其中上述的凸形表面与局部的球形表面相吻合。