[其他]真空远红外充氮亚胺化装置无效
| 申请号： | 85200146 | 申请日： | 1985-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN85200146U | 公开（公告）日： | 1986-01-15 |
| 发明（设计）人： | 廖萃荃 | 申请（专利权）人： | 南京工学院 |
| 主分类号： | H01L21/312 | 分类号： | H01L21/312;H01L21/47 |
| 代理公司： | 南京工学院专利事务所 | 代理人： | 姚建楠 |
| 地址： | 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 真空 红外 亚胺 化装 | ||
【权利要求书】：
1、一种真空远红外线充氮亚胺化装置由真空远红外炉〔17〕，程序加热温度补偿控制仪〔18〕，半导体精密控温仪〔16〕、机械真空泵〔19〕构成，其特征在于所述的远红外炉采用两块对置的远红外辐射板〔2〕和氮气喷嘴管〔14〕。
2、根据权利要求1所述的装置，其特征在于所述的远红外炉在两块远红外辐射板〔2〕中间装有半导体精密控温仪探头〔1〕，並配有能迅速排除水分子的机械真空泵〔19〕。
3、根据权利要求1所述的装置，其特征在于所述的氮气喷嘴管〔14〕采用有均匀分布喷气孔的直径为8mm的不锈钢管。
4、根据权利要求1所述装置，其特征在于炉腔〔10〕采用不锈钢材料制成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
